[发明专利]用于工艺增强的参数化虚拟单元插入

权利要求书

1.一种方法，包括：

接收具有多个限定的像素单元的集成电路(IC)设计布局；

仿真每个像素单元的所述IC设计布局的热效应；

生成每个像素单元的所述IC设计布局的热效应图；

基于所述热效应图确定所述IC设计布局的目标吸收值；以及

基于所确定的目标吸收值将热虚拟单元插入所述IC设计布局。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在插入任何热虚拟单元之前，为所述IC设计布局执行热效应仿真。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述热效应图包括基于对不具有热虚拟单元的所述IC设计布局执行的热效应仿真的灰阶吸收图。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，根据不具有热虚拟单元的所述IC设计布局的热效应仿真来确定所述目标吸收值。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：为每个像素单元确定仿真的吸收值。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，基于所仿真的吸收值和所述目标吸收值来对每个像素单元执行热虚拟单元插入。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，为每个像素单元确定所仿真的吸收值包括：计算所述IC设计布局的图样加权吸收平均值，以确定用于热虚拟单元插入的每个像素单元的局部区域吸收值，从而实现每个像素单元的所述目标吸收值。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，热虚拟单元被插入到每个像素单元中，以接近每个像素单元的吸收目标值，从而接近整个所述IC设计布局的均匀吸收值。

9.一种方法，包括：

接收具有多个限定的像素单元的集成电路(IC)设计布局；

测量包括每个像素单元的所述IC设计布局的热效应；

确定包括每个像素单元的所述IC设计布局的吸收强度；

生成包括每个像素单元的所述IC设计布局的灰阶吸收图，每个像素单元都具有局部区域吸收值；

基于所述灰阶吸收图确定所述IC设计布局的目标吸收值；以及

基于每个像素单元的所述局部区域吸收值和所述IC设计布局的确定的目标吸收值来对所述IC设计布局的每个像素单元执行热虚拟单元插入。

10.一种方法，包括：

接收包括不是热虚拟单元的多个像素单元的集成电路(IC)设计布局；

仿真包括所述多个像素单元的每一个的所述IC设计布局的热效应；

生成包括所述多个像素单元的每一个的所述IC设计布局的反射图；

针对整个所述IC设计布局的均匀反射率，确定所述多个像素单元的每一个的局部区域吸收值；

针对整个所述IC设计布局的均匀反射率，确定所述IC设计布局的目标吸收值；

基于所确定的目标吸收值，识别将被添加至所述IC设计布局的一个或多个热虚拟单元的布置；

当热虚拟单元与像素单元边界内的半导体结构重叠时，修改所述热虚拟单元的布置或结构；

在修改之后，将所述热虚拟单元插入到所述IC设计布局中；以及

在存储部件中存储具有所述热虚拟单元的所述IC设计布局。