[发明专利]用于工艺增强的参数化虚拟单元插入

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，更具体地，涉及用于工艺增强的参数化虚拟单元插入。

背景技术

半导体制造商通常在半导体晶片的不同区域中形成集成电路。形成在半导体晶片衬底上的集成电路通常包括多个半导体结构。半导体制造商所使用的各种处理技术包括蚀刻、光刻、离子注入、薄膜沉积和热退火。

然而，在传统的集成电路制造过程中，对半导体晶片进行热退火会在集成电路的器件性能中引入不均匀性。如此，一些半导体器件的电性能会发生变化，这会导致集成电路质量劣化。

因此，需要一种改进的制造集成电路的方法来克服传统热退火的缺陷。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种方法，包括：接收具有多个限定的像素单元的集成电路(IC)设计布局；仿真每个像素单元的IC设计布局的热效应；生成每个像素单元的IC设计布局的热效应图；基于热效应图确定IC设计布局的目标吸收值；以及基于所确定的目标吸收值将热虚拟单元插入IC设计布局。

其中，在插入任何热虚拟单元之前，为IC设计布局执行热效应仿真。

其中，热效应图包括基于对不具有热虚拟单元的IC设计布局执行的热效应仿真的灰阶吸收图。

其中，根据不具有热虚拟单元的IC设计布局的热效应仿真来确定目标吸收值。

该方法还包括：为每个像素单元确定仿真的吸收值。

其中，基于所仿具的吸收值和目标吸收值来对每个像素单元执行热虚拟单元插入。

其中，为每个像素单元确定所仿真的吸收值包括：计算IC设计布局的图样加权吸收平均值，以确定用于热虚拟单元插入的每个像素单元的局部区域吸收值，从而实现每个像素单元的目标吸收值。

其中，热虚拟单元被插入到每个像素单元中，以接近每个像素单元的吸收目标值，从而接近整个IC设计布局的均匀吸收值。

其中，热虚拟单元具有可调吸收值范围。

该方法还包括：当热虚拟单元与像素单元边界内的半导体结构重叠时，在插入之前修改热虚拟单元的结构。

该方法还包括：生成IC设计布局的热虚拟单元插入布局，并在存储部件中存储热虚拟单元插入布局。

其中，热效应图识别IC设计布局的每个像素单元的吸收或反射，以及其中，热效应图包括IC设计布局的吸收图或反射图。

该方法还包括：基于仿真热效应仿真IC设计布局的电性能；以及基于所仿真的电性能对IC设计布局执行热虚拟单元插入。

此外，本发明还提供了一种方法，包括：接收具有多个限定的像素单元的集成电路(IC)设计布局；测量包括每个像素单元的IC设计布局的热效应；确定包括每个像素单元的IC设计布局的吸收强度；生成包括每个像素单元的IC设计布局的灰阶吸收图，每个像素单元都具有局部区域吸收值；基于灰阶吸收图确定IC设计布局的目标吸收值；以及基于每个像素单元的局部区域吸收值和IC设计布局的确定的目标吸收值来对IC设计布局的每个像素单元执行热虚拟单元插入。

其中：对不具有热虚拟单元的IC设计布局执行热效应测量，灰阶吸收图基于对不具有热虚拟单元的IC设计布局执行的热效应测量，并且根据不具有热虚拟单元的IC设计布局的热效应测量来确定目标吸收值。

其中，热虚拟单元被插入到每个像素单元中，以接近每个像素单元的吸收目标值，从而接近整个IC设计布局的均匀吸收值。

该方法还包括：当热虚拟单元与像素单元边界内的半导体结构重叠时，在插入之前修改热虚拟单元的结构；生成IC设计布局的热虚拟单元插入布局；以及在存储部件中存储热虚拟单元插入布局。

此外，本发明还提供了一种方法，包括：接收包括不是热虚拟单元的多个像素单元的集成电路(IC)设计布局；仿真包括多个像素单元的每一个的IC设计布局的热效应；生成包括多个像素单元的每一个的IC设计布局的反射图；针对整个IC设计布局的均匀反射率，确定多个像素单元的每一个的局部区域吸收值；针对整个IC设计布局的均匀反射率，确定IC设计布局的目标吸收值；基于所确定的目标吸收值，识别将被添加至IC设计布局的一个或多个热虚拟单元的布置；当热虚拟单元与像素单元边界内的半导体结构重叠时，修改热虚拟单元的布置或结构；在修改之后，将热虚拟单元插入到IC设计布局中；以及在存储部件中存储具有热虚拟单元的IC设计布局。

其中，热虚拟单元被插入到多个像素单元的每一个中，以改善每个像素单元的吸收目标值，以及改善整个IC设计布局的均匀吸收值。

其中，热虚拟单元具有可调吸收值范围。

附图说明