[发明专利]封装的图像传感器及形成方法、降低其眩光现象的方法无效
申请号: | 201110335235.2 | 申请日: | 2011-10-28 |
公开(公告)号: | CN102412256A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 李杰 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 图像传感器 形成 方法 降低 眩光 现象 | ||
技术领域
本发明属于图像传感器领域,尤其涉及一种降低封装的图像传感器眩光现象的方法。
背景技术
随着设计水平和工艺水平的提高,以CIS技术封装的CMOS图像传感器的图像品质得到大幅提高,应用范围越来越广。CIS的封装分为CLCC、PLCC、CSP、COB等等几种,其中CSP(Chip Scale Package)封装以成本低、良率高和减少板面占用的特点得到大量应用。CSP是目前为止CMOS和CCD影像传感器、光感应器和其他多种感应装置的晶圆级芯片尺寸大规模封装唯一可以利用的技术。这种封装的特点包括独特的微型尺寸,卓越的光学性能,和整体模组成本的降低,它可以用于多种终端客户的产品当中,包括移动电话,扫描仪,数码照相机等手提移动电子设备,医疗设备等。
图像传感器的CSP封装结构如图1所示,通常包括硅基底10、形成在硅基底上的感光层(未图示,其位于图1中硅基底10的表面),及遮盖在感光层的光学玻璃30。其中,感光层与光学玻璃30之间可以设置如图中所示的空腔20,空腔20内设置有多个用于汇聚光线的微透镜25。感光层包括由多个感光单元覆盖的感光区域(其大体位于微透镜25正下方)与位于边缘的非感光区域。硅基底10的另一面形成有多个BGA焊球40,以方便与外界电性连接。但是,在实践中发现,这样封装的图像传感器眩光现象较明显,影响图像质量。
因而,确有必要对上述缺陷进行改进。
发明内容
本发明的目的是提供一种降低封装的图像传感器眩光现象的方法。
本发明的另一目的是提供一种形成封装的图像传感器的方法,其可以降低眩光现象。
本发明的再一目的是提供一种封装的图像传感器,其可以降低眩光现象。
为实现上述目的,本发明提供一种避免或降低封装的图像传感器眩光现象的方法,所述封装的图像传感器包括具有感光区域与非感光区域的感光层,及位于所述感光层上的光学玻璃,所述光学玻璃包括位于感光区域上的第一区域与位于非感光区域的第二区域;所述方法包括:
对位于所述光学玻璃的第二区域进行处理,以在所述第二区域上形成吸光材料层,或使所述第二区域的表面粗糙度大于所述第一区域。
可选的,在所述第二区域上形成吸光材料层的处理步骤,包括:
在所述光学玻璃上覆盖吸光材料;
利用掩模去除所述光学玻璃的所述第一区域上的吸光材料。
可选的,所述掩模为光刻胶。
可选的,在所述第二区域上形成吸光材料层的处理步骤,包括:
在所述光学玻璃上形成图案化的光刻胶,所述光刻胶覆盖所述光学玻璃的所述第一区域,而暴露所述光学玻璃的所述第二区域;
在形成有光刻胶的光学玻璃上覆盖吸光材料;
去除所述光刻胶。
可选的,所述吸光材料层的材质为感光油墨。
可选的,使所述第二区域的表面粗糙度大于所述第一区域的处理步骤,包括:
利用掩模保护所述光学玻璃的所述第一区域,而暴露所述光学玻璃的所述第二区域;
利用干法或湿法刻蚀使所述第二区域粗糙化。
可选的,所述第二区域的所述光学玻璃表面粗糙度小于40um。
可选的,在所述干法刻蚀中,利用惰性气体、空气、氮气、氧气、氟碳化合物气体及碳氢化合物气体中的一种或多种作为等离子体源。
可选的,在所述干法刻蚀中,利用氩气与四氟化碳组成的混合气体作为等离子体源;在所述湿法刻蚀中,利用氢氟酸使所述第二区域粗糙化。
为实现上述目的,本发明还提供一种形成封装的图像传感器的方法,包括:
提供衬底;
在所述衬底上形成感光层,所述感光层具有感光区域与非感光区域;
在所述感光层上设置光学玻璃;
对所述光学玻璃执行如前所述的方法。
为实现上述目的,本发明还提供一种形成封装的图像传感器的方法,包括:
提供衬底;
在所述衬底上形成感光层,所述感光层具有感光区域与非感光区域;
将经前述方法处理过的光学玻璃设置在所述感光层上。
为实现上述目的,本发明另提供一种封装的图像传感器,包括:
感光层,包括非感光区域与设置有感光单元的感光区域;
光学玻璃,位于所述感光区域与所述非感光区域上;
吸光材料层,位于所述光学玻璃远离所述感光层的表面上,并暴露出感光区域,以使光线能够进入感光区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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