[发明专利]模式转变电路

权利要求书

1.一种电路，包括：

第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管具有第一PMOS漏极，第一PMOS源极，和第一PMOS栅极；

第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管具有第一NMOS漏极，第一NMOS源极，和第一NMOS栅极；

第二PMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管具有第二PMOS漏极，第二PMOS源极，和第二PMOS栅极；以及

第二NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管具有第二NMOS漏极，第二NMOS源极，和第二NMOS栅极；

其中，

所述第一PMOS栅极用作输入端并且设置成接收以工作电压为基础的输入电压；

所述第一PMOS漏极与所述第一NMOS漏极和所述第二PMOS栅极连接；

所述第一PMOS源极与所述工作电压连接；

所述第一NMOS栅极与所述工作电压连接；

所述第二PMOS漏极与所述第二NMOS漏极连接，并且用作输出端；以及

所述输出端设置成响应于所述工作电压中的变化和/或引起在所述输入端接收的电压电平变化的温度中的变化，在第一逻辑状态和第二逻辑状态之间自动变化。

2.根据权利要求1所述的电路，还包括分压器，所述分压器与所述输入端连接并且设置成提供以所述工作电压为基础的输入电压电平。

3.根据权利要求1所述的电路，还包括与所述第二NMOS源极连接的二极管。

4.根据权利要求1所述的电路，还包括使能电路，所述使能电路配置成电接收所述输出端的输出信号和输入使能信号，并且产生设置成改变存储器单元模式的输出使能信号。

5.一种电路，包括：

具有接地参考节点的存储器单元；

与所述接地参考节点连接的开关；以及

模式转变电路，所述模式转变电路具有与所述开关连接的输出端并且配置成响应于工作电压和/或温度的变化而自动使输出端的逻辑状态在第一输出逻辑状态和第二输出逻辑状态之间改变，从而自动地设定存储器单元在所述接地参考节点处于第一参考电平的第一模式中或在所述接地参考节点处于与所述第一参考电平不同的第二参考电平的第二模式中。

6.根据权利要求5所述的电路，其中所述第一参考电平是逻辑低电平而且所述第二参考电平与所述第一参考电平相比高。

7.根据权利要求5所述的电路，其中所述开关是NMOS晶体管，所述NMOS晶体管具有与所述接地参考节点连接的漏极，与接地节点连接的源极，和与所述模式转变电路的所述输出端连接的栅极。

8.根据权利要求5所述的电路，其中所述模式转变电路设置成接收以所述工作电压为基础而产生的输入电平。

9.根据权利要求5所述的电路，还包括分压器，所述分压器设置成以所述工作电压为基础产生输入电平至所述模式转变电路。

10.一种方法，包括：

驱动控制信号到与节点连接的晶体管的栅极；所述晶体管的导电状态引起所述节点在第一状态和所述节点的第二状态之间的改变；以及

通过以电路的输入端电压变化为基础的电路响应于工作电压的变化和/或引起控制信号改变的温度的变化自动地进行在所述第一状态和所述第二状态之间的转换。