[发明专利]硅通孔的形成方法

权利要求书

1.一种硅通孔的形成方法，其特征在于，包括：

提供硅衬底，所述硅衬底上形成有层间介质层和贯穿所述层间介质层、且底部位于硅衬底中的通孔；

形成覆盖所述通孔底部、侧壁及层间介质层的停止层；

向所述通孔中填充导电材料，去除多余导电材料至露出层间介质层；

对所述硅衬底进行第一次晶圆背面磨削，直至露出停止层；

对所述硅衬底进行第二次晶圆背面磨削，直至露出导电材料，形成硅通孔。

2.如权利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述停止层的材质为氮化硅。

3.如权利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述覆盖通孔底部停止层的厚度在的范围内。

4.如权利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述多余导电材料通过CMP工艺去除。

5.如权利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，形成所述覆盖通孔底部、侧壁及层间介质层的停止层之前还包括形成覆盖所述通孔底部、侧壁及层间介质层的刻蚀停止层；向所述通孔中填充导电材料，去除多余导电材料至露出层间介质层之前还包括：向所述通孔填充保护层，所述保护层覆盖通孔底部；对所述停止层进行无图形刻蚀至露出刻蚀停止层；去除所述通孔中的保护层。

6.如权利要求5所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材质为氮化钛或氮化钽。

7.如权利要求5所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述覆盖层间介质层的刻蚀停止层的厚度在范围内。

8.如权利要求5所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度在5～15um的范围内。

9.如权利要求5所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述保护层的材质为光刻胶或BARC。

10.如权利要求9所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述保护层通过灰化工艺去除。

11.如权利要求5所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，通过含碳和氟的刻蚀气体对所述停止层进行无图形刻蚀。

12.如权利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述导电材料的材质为铜或钨。

13.如权利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述第一次晶圆背面磨削通过CMP工艺进行。

14.如权利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述第二次晶圆背面磨削通过CMP工艺进行。