[发明专利]EEPROM存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种EEPROM存储器的制作方法，其特征在于，包括步骤：

提供半导体衬底；

进行第一离子注入，在所述半导体衬底内形成轻掺杂源/漏区；

进行变角度第二离子注入，形成位于所述轻掺杂漏区表面区域的第一浅掺杂区和位于轻掺杂源区表面区域的第二浅掺杂区，所述变角度第二离子注入的掺杂离子导电类型与第一离子注入掺杂离子导电类型相同；

对所述半导体衬底进行退火，激活掺杂离子，使第一浅掺杂区和第二浅掺杂区相接触；

在所述半导体衬底上形成分立的存储晶体管和选择晶体管，所述存储晶体管包括轻掺杂源/漏区半导体衬底表面的栅极堆叠和位于栅极堆叠两侧半导体衬底内的源/漏区，所述选择晶体管包括轻掺杂源/漏区以外半导体衬底表面的栅极堆叠和位于栅极堆叠两侧半导体衬底内的源/漏区。

2.如权利要求1所述EEPROM存储器的制作方法，其特征在于，所述第二离子注入掺杂离子的原子量小于第一离子注入掺杂离子的原子量。

3.如权利要求1或2所述EEPROM存储器的制作方法，其特征在于，所述第一离子注入的掺杂离子为砷离子。

4.如权利要求1或2所述EEPROM存储器的制作方法，其特征在于，所述变角度第二离子注入的掺杂离子为磷离子。

5.如权利要求1所述EEPROM存储器的制作方法，其特征在于，所述变角度第二离子注入的角度范围为30°～60°。

6.如权利要求1所述EEPROM存储器的制作方法，其特征在于，所述变角度第二离子注入的剂量小于第一离子注入的剂量。

7.如权利要求3所述EEPROM存储器的制作方法，其特征在于，所述变角度第二离子注入的剂量为第一离子注入的剂量的1/5～1/10。

8.如权利要求1所述EEPROM存储器的制作方法，其特征在于，所述退火工艺的温度范围为950℃～1000℃，退火工艺时间范围为1.5～3小时。

9.如权利要求1所述EEPROM存储器的制作方法，其特征在于，所述第一浅掺杂区和第二浅掺杂区形成过程为：形成覆盖所述半导体衬底的光刻胶层；图形化所述光刻胶层，形成暴露所述半导体衬底表面的第一开口和第二开口；沿所述第一开口和第二开口进行第一离子注入，在所述半导体衬底内形成轻掺杂漏区和轻掺杂源区；沿所述第一开口和第二开口进行变角度第二离子注入，形成位于轻掺杂漏区表面区域的第一浅掺杂区和位于轻掺杂源区表面区域的第二浅掺杂区。

10.如权利要求1所述EEPROM存储器的制作方法，其特征在于，所述存储晶体管栅极堆叠包括依次位于半导体衬底表面的隧穿氧化层、浮栅、栅间介质层和控制栅。

11.如权利要求1所述EEPROM存储器的制作方法，其特征在于，所述选择晶体管栅极堆叠包括依次位于半导体衬底表面的栅氧化层和栅电极。

12.一种EEPROM存储器，其特征在于，包括：

半导体衬底，位于所述半导体衬底上分立的存储晶体管栅极堆叠和选择晶体管栅极堆叠，所述存储晶体管栅极堆叠包括依次位于半导体衬底表面的隧穿氧化层、浮栅、栅间介质层和控制栅，所述选择晶体管栅极堆叠包括依次位于半导体衬底表面的栅氧化层和栅电极；

位于所述存储晶体管栅极堆叠两侧半导体衬底内的源漏区；

位于所述选择晶体管栅极堆叠两侧半导体衬底内的源漏区；

位于所述存储晶体管栅极堆叠下方半导体衬底内的轻掺杂漏区和轻掺杂源区；

位于所述轻掺杂漏区表面区域的第一浅掺杂区和轻掺杂源区表面区域的第二浅掺杂区，所述第一浅掺杂区和第二浅掺杂区相接触，所述第一浅掺杂区和第二浅掺杂区掺杂离子的导电类型与轻掺杂漏区和轻掺杂源区掺杂离子的导电类型相同。

13.如权利要求12所述的EEPROM存储器，其特征在于，所述第一浅掺杂区和第二浅掺杂区掺杂离子的原子量小于轻掺杂漏区和轻掺杂源区掺杂离子的原子量。