[发明专利]碘化铯和掺铊碘化铯单晶的坩埚下降法生长工艺

权利要求书

1.一种碘化铯单晶的坩埚下降法生长工艺，包括以下步骤：

1)将原料碘化铯于195～205℃脱OH^-后，真空干燥，然后装入坩埚内抽真空并密封；

2)将装料后的坩埚置于下降炉中，进行熔料，控制熔料温度为700～750℃；熔料结束后开始晶体生长，使坩埚匀速向下移动并通过下降炉内温度为600～650℃的区域，下降速度为1.5～3.0mm/h，晶体生长界面温度梯度为28～32℃/cm；晶体生长结束后，以30～50℃/h的速率降温至室温；取出坩埚，将晶体从坩埚中剥离，得到碘化铯单晶。

2.如权利要求1所述的碘化铯单晶的坩埚下降法生长工艺，其特征在于，所述原料碘化铯为纯度不低于99.999％的高纯碘化铯颗粒料或掺铊碘化铯。

3.如权利要求2所述的碘化铯单晶的坩埚下降法生长工艺，其特征在于，所述掺铊碘化铯中掺杂800ppm～1500ppm的碘化铊。

4.如权利要求1所述的碘化铯单晶的坩埚下降法生长工艺，其特征在于，所述坩埚为内壁镀有碳膜的石英坩埚。

5.如权利要求4所述的碘化铯单晶的坩埚下降法生长工艺，其特征在于，所述坩埚的底部为平底或锥底。

6.如权利要求5所述的碘化铯单晶的坩埚下降法生长工艺，其特征在于，使用平底坩埚进行有籽晶或无籽晶生长。

7.如权利要求1所述的碘化铯单晶的坩埚下降法生长工艺，其特征在于，步骤1)中，所述坩埚内抽真空至真空度为1.0×10^-2Pa以上。

8.如权利要求1-7任一所述的碘化铯单晶的坩埚下降法生长工艺，其特征在于，所述下降炉的炉膛内沿轴向分成高、中、低三个温度区：高温区的温度控制在700～750℃，中温区的温度控制在600～650℃，低温区控制在300～350℃。

9.如权利要求8所述的碘化铯单晶的坩埚下降法生长工艺，其特征在于，步骤2)中，所述熔料于高温区内进行，所述晶体生长于中温区内进行，晶体生长结束后位于低温区中保温。

10.如权利要求8所述的碘化铯单晶的坩埚下降法生长工艺，其特征在于，所述下降炉内设置多个放置坩埚的等效工位。