[发明专利]改善MOS晶体管击穿电压的方法以及MOS晶体管制造方法有效
| 申请号： | 201110341993.5 | 申请日： | 2011-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102386102B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 江红 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 mos 晶体管 击穿 电压 方法 以及 制造 | ||
1.一种改善MOS晶体管击穿电压的方法，其特征在于包括：在利用掩膜对MOS晶体管的源极漏极执行离子注入的步骤中，修改所述掩膜的图案以在所述掩膜的图案中增加一个附加掩膜部分，该附加掩膜部分将要形成的漏极区域与栅极的重叠区；并且利用修改后的掩膜图案执行源极漏极的离子注入。
2.根据权利要求1所述的改善MOS晶体管击穿电压的方法，其特征在于，附加掩膜部分在MOS晶体管的沟道电流的方向上介于第一点和第二点之间；其中，所述第一点是MOS晶体管在正常工作时导通状态的漏端沟道夹断点，所述第二点是栅极侧部隔离物边缘的位置；并且，该位置不超过第二点接触到漏极的位置。
3.根据权利要求1或2所述的改善MOS晶体管击穿电压的方法，其特征在于，所述掩膜包括源极侧的第一掩膜部分和漏极侧的第二掩膜部分。
4.根据权利要求1或2所述的改善MOS晶体管击穿电压的方法，其特征在于，在利用掩膜对MOS晶体管的源极漏极执行离子注入的步骤中，栅极上仅仅覆盖了所述附加掩膜部分。
5.一种MOS晶体管制造方法，其特征在于采用了根据权利要求1至5之一所述的改善MOS晶体管击穿电压的方法。
6.根据权利要求5所述的MOS晶体管制造方法，其特征在于，所述MOS晶体管制造方法用于制造N或者P型沟道的MOS晶体管。
7.一种采用权利要求5或6所述的MOS晶体管制造方法而制造的MOS晶体管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
