[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体元件，设置于一基板上，该基板包括一第一区域与一第二区域，其特征在于，该半导体元件包括：

一第一薄膜晶体管元件，位于该第一区域内，该第一薄膜晶体管元件包括：

一第一半导体层，位于该基板上；

两个第一掺杂层，位于该第一半导体层上；

一第一介电层，位于该第一半导体层与所述第一掺杂层上；

一第一栅极介电层，位于该第一介电层上；

一第一栅极，位于该第一栅极介电层上；以及

一第一源极与一第一漏极，分别与各该第一掺杂层电性连接；以及

一第二薄膜晶体管元件，位于该第二区域内，该第二薄膜晶体管元件包括：

一第二半导体层，位于该基板上；

两个第二掺杂层，位于该第二半导体层上；

一蚀刻停止层，位于所述第二掺杂层之间并覆盖所述第二掺杂层暴露出的该第二半导体层；

一第二栅极介电层，位于所述第二掺杂层与该蚀刻停止层上；

一第二栅极，位于该第二栅极介电层上；以及

一第二源极与一第二漏极，分别与各该第二掺杂层电性连接。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述第一掺杂层包括P型掺杂半导体层，且所述第二掺杂层包括N型掺杂半导体层。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述第一掺杂层与所述第二掺杂层包括非离子植入掺杂层。

4.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该第一半导体层与该第二半导体层包括多晶硅层。

5.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该第一介电层与该蚀刻停止层由同一图案化介电层所构成。

6.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，另包括至少一层间介电层，位于该第一栅极介电层、该第二栅极介电层、该第一栅极与该第二栅极上。

7.根据权利要求6所述的半导体元件，其特征在于，该至少一层间介电层、该第一栅极介电层与该第一介电层还包括多个第一接触洞，分别部分暴露出各该第一掺杂层，且该第一源极与该第一漏极位于该层间介电层上并通过所述第一接触洞而分别与各该第一掺杂层电性连接，而该至少一层间介电层与该第二栅极介电层还包括多个第二接触洞，分别部分暴露出各该第二掺杂层，且该第二源极与该第二漏极位于该层间介电层上，并通过所述第二接触洞而分别与各该第二掺杂层电性连接。

8.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该蚀刻停止层位于该第二半导体层上，而所述第二掺杂层位于该第二半导体层上并部分覆盖该蚀刻停止层。

9.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该第一源极与该第二漏极电性连接，且该第一栅极与该第二栅极电性连接。

10.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该第一栅极与该第二漏极电性连接。

11.根据权利要求10所述的半导体元件，其特征在于，另包括一发光元件，其中该发光元件包括一第一电极、一发光层与一第二电极，且该第一电极与该第一薄膜晶体管元件的该第一漏极电性连接。