[发明专利]像素阵列及其制作方法无效

专利信息
申请号: 201110343614.6 申请日: 2011-11-03
公开(公告)号: CN102402043A 公开(公告)日: 2012-04-04
发明(设计)人: 陈孝贤 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335;G02F1/1362;H01L21/77
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 欧阳启明
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 像素 阵列 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种像素阵列,包括储存电容,其特征在于:

所述像素阵列上涂布有色阻区,所述色阻区包括所述储存电容的第一色阻区,以及所述储存电容之外的其它区域的第二色阻区;

其中,所述第一色阻区的厚度大于所述第二色阻区的厚度,且所述储存电容之外的其他区域的厚度等于维持像素阵列色度的最小厚度值,以使得所述储存电容的面积减小时,所述像素单元在一个帧的周期内保有所需的电位。

2.根据权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,所述第二色阻区通过灰色调掩膜照射形成。

3.根据权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,所述第二色阻区通过半色调掩膜照射形成。

4.根据权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,所述色阻区的材料为负光阻。

5.根据权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,所述色阻区为红色阻、绿色阻和蓝色阻其中之一。

6.一种像素阵列的制作方法,所述像素阵列包括有储存电容,其特征在于,所述方法包括以下步骤:

在所述像素阵列上涂覆一色阻区;

在所述储存电容之外的其它区域设置一灰色调掩膜或一半色调掩膜;

在该像素阵列上通过该灰色调掩膜或半色调掩膜对所述色阻区照射光,使得所述储存电容上的色阻区形成为第一色阻区,所述储存电容之外的其他区域形成为第二色阻区。

7.根据权利要求6所述的像素阵列的制作方法,其特征在于,所述第一色阻区的厚度大于所述第二色阻区的厚度,且所述储存电容之外的其他区域的厚度等于维持像素阵列色度的最小厚度值,以使得所述储存电容的面积减小时,所述像素在一个帧的周期内保有所需的电位。

8.根据权利要求6所述的像素阵列,其特征在于,所述色阻区的材料为负光阻。

9.根据权利要求6所述的像素阵列,其特征在于,所述色阻区为红色阻、绿色阻和蓝色阻其中之一。

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