[发明专利]像素阵列及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种像素阵列及其制作方法。

背景技术

随着液晶显示技术的不断发展，对液晶显示功能的要求越来越高。

液晶显示器中的具有彩色滤波的薄膜晶体阵列(Color filter on Array，COA)包括液晶单元，所述液晶单元设置有储存电容。请参阅图1，图1为现有技术中COA的部分俯视图，依次包括有R、G、B像素。储存电容11设置在各像素中，当COA的表面都是用普通掩膜normalmask时，COA中各区域的厚度一致。

譬如，请参阅图2A-2B，图2A为储存电容11的剖视图，图2B为储存电容11之外的其它区域的剖视图。现有技术中，由于各像素表面的色阻区都是通过普通掩膜normal mask照射而成，因此像素中各区域的厚度一致，即储存电容11的厚度t1等于储存电容11之外的其它区域的厚度t2。

由于储存电容11表面面积较大，导致开口率降低，从而降低了整体穿透率。但是如果直接将储存电容11的表面面积S1减小，则将减少彩色滤波阵列的电容，进而影响彩色滤波阵列的电位保持率(holding ratio)。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种像素阵列，以在减小储存电容面积的情况下，仍能够保保有所需的电位。

为解决上述问题，本发明提供了一种像素阵列，包括储存电容；

所述像素阵列上涂布有色阻区，所述色阻区包括所述储存电容的第一色阻区，以及所述储存电容之外的其它区域表面的第二色阻区；

所述第一色阻区的厚度大于所述第二色阻区的厚度，且所述储存电容之外的其他区域的厚度等于维持像素阵列色度的最小厚度值，以使得所述储存电容的面积减小时，所述像素在一个帧的周期内保有所需的电位。

在本发明的像素阵列中，所述第二色阻区通过灰色调掩膜照射形成。

在本发明的像素阵列中，所述第二色阻区通过半色调掩膜照射形成。

在本发明的像素阵列中，所述色阻区的材料为负光阻。

在本发明的像素阵列中，所述色阻区为红色阻、绿色阻和蓝色阻其中之一。

本发明的另一个目的在于提供一种像素阵列的制作方法，以在减小储存电容面积的情况下，仍能够保持所需电位。

为解决上述问题，本发明提供了一种像素阵列的制作方法，所述像素阵列包括有储存电容，所述方法包括以下步骤：

在所述像素阵列上涂覆一色阻区；

在所述的储存电容之外的其它区域设置一灰色调掩膜或一半色调掩膜；

在该像素阵列上通过该灰色调掩膜或半色调掩膜对所述色阻区照射光，使得所述储存电容上的色阻区形成为第一色阻区，所述储存电容之外的其他区域形成为第二色阻区。

在本发明的像素阵列的制作方法中，所述第一色阻区的厚度大于所述第二色阻区的厚度，且所述储存电容之外的其他区域的厚度等于维持像素阵列色度的最小厚度值，以使得所述储存电容的面积减小时，所述像素在一个帧的周期内保有所需的电位。

在本发明的像素阵列的制作方法中，所述色阻区的材料为负光阻。

在本发明的像素阵列的制作方法中，所述色阻区为红色阻、绿色阻和蓝色阻其中之一。

本发明相对于现有技术，在减小储存电容面积的情况下，所述像素阵列在一个frame的周期内仍保有所需的电位。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1为现有技术中彩色滤波阵列的俯视图；

图2A-2B为现有技术中彩色滤波阵列不同区域的剖视图；

图3为本发明中像素阵列的较佳实施例俯视图；

图4A-4B为图3所示像素阵列不同区域的较佳实施例剖视图；

图5为本发明中像素阵列的制作方法的较佳实施例流程图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。

请参阅图3，图3为本发明中像素阵列的较佳实施例的结构俯视图。

在图3所示的实施例中，像素阵列依次包括有R、G、B像素，每个像素都包括有储存电容31，所述储存电容31内设置通孔32。每个像素还包括数据线33以及共电极线34。