[发明专利]一种应用于集成错误校验码的嵌入式存储器的内建修复分析方法

权利要求书

1.一种嵌入式存储器的内建修复分析方法，包括如下步骤：在存储器内建自测试阶段，采用簇缺陷优先修复分析方法，首先区分检测到的缺陷是簇缺陷还是离散缺陷，利用片上冗余的行和列优先修复检测到的簇缺陷，对检测到的离散缺陷采用宽边修复法进行修复，直到缺陷修复完成或者冗余行和列资源用完；如果冗余资源用完还有离散缺陷残留，则将残留的离散缺陷的位置信息存储在一个非易失存储器中，这些残留的缺陷将使用片上的错误校验电路进行修复；

所述的簇缺陷优先修复分析方法为使用一个容量很小的缺陷收集缓冲器来存储检测到但未被修复的缺陷的位置信息，当检测到新的缺陷时，首先检测其所在的行或者列是否已经被标注为已修复，如果是则直接忽略该缺陷；否则将其行和列地址与缺陷收集缓存器中记录的缺陷位置信息逐条进行比较，如果与其中某一条目的行或者列地址相符，则将这两个缺陷视为簇缺陷，并分配冗余行或者冗余列优先对其进行修复；在缺陷收集缓存器中没有与之行或列地址相符的缺陷的情况下，如果缺陷收集缓冲器未满，则将该缺陷的位置信息作为一个新的条目加入缺陷收集缓存器，否则从缺陷收集缓存器中随机的弹出一个缺陷并使用宽边修复法进行修复，然后将该缺陷的位置信息存入缺陷收集缓冲器；一旦存储器检测完成，继续按照宽边修复法利用可用的冗余行或者列对缺陷收集缓存器中的缺陷进行修复，直到所有缺陷都被修复或者冗余的行和列都用完，这一阶段同一存储字中的缺陷会被优先修复；

所述的宽边修复法随机的选择冗余的行或者列对每一个需要修复的缺陷进行修复，直到所有的缺陷修复完成或者冗余的行和列用完；

所述的使用片上错误校验电路修复残留缺陷的实现方式是，存储器内建自测试结束后，将残留缺陷的位置信息存储在一个非易失存储器中；在存储器使用过程中，如果读取时检测到无法纠正的错误，即错误超出其自身的纠错能力，则从非易失存储器中读取残留缺陷的位置信息并提供给错误校验码解码器，利用错误校验码的检错纠错能力对其进行纠正。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在存储器内建自测试阶段，存储器的测试电路放在存储器内部，该测试电路包括自测控制器、测试向量产生器和比较器；内建自测控制器控制测试向量产生器产生预先设计好的向量序列，对存储器的每一个存储单元进行一系列读写操作，比较器将操作的结果与预计的结果进行比较，以判断存储器单元是否存在缺陷，并返回缺陷的位置信息。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的将硬件缺陷分为簇缺陷和离散缺陷的方式为，在存储器内建自测试过程中，如果检测到的新缺陷所在的行或者列中有其他缺陷已被检测出且未被修复，则该缺陷和之前被检测出且未修复的缺陷所在的同一行或者同一列的缺陷被认为是簇缺陷；如果新检测到的缺陷所在的行和列在该缺陷被修复之前未检测到其他缺陷，则该缺陷被认为是离散缺陷。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的非易失存储器采用电子可编程熔丝阵列存储器。