[发明专利]基板处理方法有效
申请号: | 201110344163.8 | 申请日: | 2011-11-02 |
公开(公告)号: | CN102468154A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 古屋敦城;佐藤亮 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 | ||
1.一种基板处理方法,对设置于等离子体处理装置的能够减压的处理容器内的被处理基板实施利用等离子体的处理,其中,
上述等离子体处理装置具备:
基板保持部,其配置于上述处理容器内,构成用于载置保持上述被处理基板的载置台;
导热气体流路,其将来自导热气体提供源的导热气体提供到上述基板保持部与被保持在该基板保持部的基板保持面上的被处理基板之间;
流量传感器,其检测向上述导热气体流路流出的导热气体流量;
高频电源,其将用于产生上述等离子体的高频电力提供到上述处理容器内;以及
处理气体提供部,其将通过上述高频电力被等离子体化的处理气体提供到上述处理容器内,
该基板处理方法具有以下步骤:
调压步骤,以使上述导热气体成为规定压力的方式,从上述导热气体提供源将上述导热气体提供到上述基板保持部与上述被处理基板之间;以及
放电步骤,当通过开始提供上述导热气体而暂时上升的上述导热气体的流量降低并稳定之前成为规定的调压结束基准值以下时,对上述处理容器内提供高频电力来开始放电,在上述基板保持面上的被处理基板上产生上述处理气体的等离子体,
其中,在上述放电步骤中,在导热气体流量稳定之前的时刻设置多个判断点,在各判断点处,当由上述流量传感器检测出的导热气体流量超过规定的阈值时判断为存在基板偏移,针对每个判断点设定上述阈值,由此不需要等待上述导热气体流量的稳定就进行基板偏移判断。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,
根据上述导热气体的过去的流量或者流量变化量来决定各上述判断点的阈值。
3.根据权利要求2所述的基板处理方法,其特征在于,
上述过去的流量或者流量变化量是在本次基板处理之前执行的基板处理中的同一判断点的流量或者流量变化量的平均值。
4.根据权利要求2所述的基板处理方法,其特征在于,
上述过去的流量或者流量变化量是本次基板处理中紧挨着本次判断点的前一判断点的流量或者流量变化量。
5.根据权利要求1~4中的任一项所述的基板处理方法,其特征在于,
在上述放电步骤中具有在开始放电之后使上述导热气体的压力上升的步骤的情况下,在压力即将上升之前停止上述基板偏移判断,在压力上升之后立即重新启动上述基板偏移判断。
6.根据权利要求5所述的基板处理方法,其特征在于,
从上述放电开始之后至上述导热气体的压力上升之前设定判断点,在进行上述基板偏移判断之后使上述导热气体的压力上升。
7.根据权利要求6所述的基板处理方法,其特征在于,
关于上述导热气体的压力上升之前的判断点,仅在上述导热气体的压力即将上升之前设定一个判断点来进行上述基板偏移判断。
8.根据权利要求6所述的基板处理方法,其特征在于,
关于上述导热气体的压力上升之前的判断点,从放电开始之后至导热气体的压力上升之前设定多个判断点来进行上述基板偏移判断。
9.根据权利要求1~8中的任一项所述的基板处理方法,其特征在于,
由上述高频电源向上述处理容器内提供上述高频电力是通过对设置于上述处理容器内的基座施加高频电力来进行的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造