[发明专利]基板处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种对平板显示器(FPD)用基板等大型基板实施等离子体处理的基板处理方法以及存储执行该方法的程序的存储介质。

背景技术

在制造FPD的面板的过程中，通常在由玻璃等绝缘体构成的基板上形成作为像素的器件或者电极、布线等。制造这种面板的各个工序中的蚀刻、CVD、灰化(ashing)、溅射等微细加工在多数情况下通过等离子体处理装置来进行。在等离子体处理装置中，例如在可减压的处理容器内将基板载置在载置台上，该载置台具备构成下部电极的基座(susceptor)，对基座提供高频电力，由此在基板上形成作为处理气体的等离子体，利用该等离子体在基板上进行蚀刻等规定处理。

在这种情况下，需要抑制由于等离子体处理中的发热所导致的温度上升而将基板的温度控制为固定。因此，广泛使用以下方式：对载置台内的制冷剂通路循环提供由冷却装置调温而得到的制冷剂，同时，使He气体等导热性良好的气体(导热气体)通过载置台中而提供给基板的背面，来间接地冷却基板。在该冷却方式中，在例如通过静电吸附力将基板吸附保持于基板保持部的基板保持面上的载置台中，能够对抗He气体的提供压力而在载置台上固定保持基板，因此优选使用。

另外，当在吸附保持基板时基板相对于载置台上的基板保持面产生位置偏移时，基板保持面在基座上露出，因此当在这种状态下对基座施加高频电力来产生等离子体时，有可能产生异常放电从而使基座损伤。因而，通过在产生等离子体前检测这种基板的位置偏移，能够预防异常放电的产生。

作为对基板的保持状态进行检测的方法，以往，例如存在专利文献1记载那样的技术：在载置台的上部设置压力测量孔，经由压力测量孔将压力测量气体提供到载置台与基板之间并监视压力测量气体的压力。在该方法中，例如在不存在基板的情况下、静电保持力小的情况下，气体从压力测量孔泄露而压力降低，因此通过监视该压力来对载置台上基板的有无、保持状态进行检测。

另外，在专利文献2中，即使在等离子体产生之后，如果是提供到载置台与基板之间的气体稳定之后，则在存在泄露的情况下压力降低，因此在气体足够稳定之后监视其压力变化来检测是否产生了泄露。

专利文献1：日本特开平04-359539号公报

专利文献2：日本特开2001-338914号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，由于基板的处理方法不同，有时在等离子体产生之后立即增加高频电力或者使导热气体压力上升，有时由此产生基板的位置偏移而产生气体泄漏。因而，即使如专利文献1那样仅在等离子体产生之前判断气体泄漏，但是无法检测其后由于基板偏移而产生的气体泄漏。另外，在如专利文献2那样等到气体的压力(流量)足够稳定之后监视气体泄漏的情况下，无法立即检测位置偏移，会产生异常放电。

关于这一点，通过对提供到载置台与基板之间的气体流量进行检测能够检测气体泄漏，但是当在等离子体产生之后立即增加高频电力或者使导热气体压力上升时，有时气体流量的变动变大，因此在等离子体产生之后立即监视气体流量来判断基板偏移非常困难。

因此，本发明是鉴于这种问题而完成的，其目的在于提供一种基板处理方法等，在该基板处理方法中，在用于产生等离子体的放电开始之后，即使在导热气体流量稳定之前也能够判断基板偏移，由此，即使在放电开始之后基板立即产生位置偏移，也能够尽早检测出该位置偏移而立即中止处理，从而能够极力防止由于异常放电导致载置台损伤。

用于解决问题的方案