[发明专利]一种提高光刻胶曝光精度的方法无效
申请号: | 201110344422.7 | 申请日: | 2011-11-03 |
公开(公告)号: | CN102354087A | 公开(公告)日: | 2012-02-15 |
发明(设计)人: | 毛旭;杨晋玲;杨富华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 光刻 曝光 精度 方法 | ||
1.一种提高光刻胶曝光精度的方法,该光刻胶对紫外光具有高透射性,其特征在于,该方法是通过对透过光刻胶的紫外光进行垂直反射或对透过光刻胶的紫外光进行全吸收实现的。
2.根据权利要求1所述的提高光刻胶曝光精度的方法,其特征在于,所述对透过光刻胶的紫外光进行垂直反射,包括:
在透明衬底(6)正面旋涂具有高透射性的光刻胶(5),将高反射性基片(10)粘贴于该透明衬底(6)的背面;
对光刻胶(5)进行曝光,依次透过光刻胶(5)和透明衬底(6)的紫外光垂直入射到该高反射性基片(10);以及
该高反射性基片(10)垂直反射该紫外光,使该紫外光透过该透明衬底(6)二次进入光刻胶(5)的曝光区域,实现对透过光刻胶的紫外光进行垂直反射。
3.根据权利要求2所述的提高光刻胶曝光精度的方法,其特征在于,所述将高反射性基片(10)粘接于该透明衬底(6)的背面,是采用去离子水实现的。
4.根据权利要求2所述的提高光刻胶曝光精度的方法,其特征在于,所述高反射性基片(10)具有光洁度为Ra 0.012-0.8的抛光镜面,以保证对透射紫外光实现垂直反射,避免对非曝光区的光刻胶(5)曝光。
5.根据权利要求2所述的提高光刻胶曝光精度的方法,其特征在于,所述透明衬底(6)为双面抛光透明衬底,所述高反射性基片(10)为双面抛光基片。
6.根据权利要求2所述的提高光刻胶曝光精度的方法,其特征在于,所述透明衬底(6)为pyrex 7740玻璃,所述光刻胶(5)为SU-8胶,所述高反射性基片(10)为抛光硅片。
7.根据权利要求1所述的提高光刻胶曝光精度的方法,其特征在于,所述对透过光刻胶的紫外光进行全吸收,包括:
在透明衬底(6)正面旋涂具有高透射性的光刻胶(5),将第一抛光透明基片(11)正面粘贴于该透明衬底(6)的背面;
在第二抛光透明基片(13)正面旋涂对紫外光具有高吸收性的第二光刻胶(12),将第二抛光透明基片(13)正面通过该第二光刻胶(12)粘接于该第一抛光透明基片(11)的背面;以及
对光刻胶(5)进行光刻,依次透过光刻胶(5)、透明衬底(6)和第一抛光透明基片(11)的紫外光被高吸收性的第二光刻胶(12)全吸收,不会再次进入光刻胶(5)。
8.根据权利要求7所述的提高光刻胶曝光精度的方法,其特征在于,所述将第一抛光透明基片(11)正面粘贴于该透明衬底(6)的背面,是采用去离子水实现的。
9.根据权利要求7所述的提高光刻胶曝光精度的方法,其特征在于,所述第二光刻胶(12)具有很强的紫外光吸收作用,对紫外光的吸收率在90%-100%之间,以避免紫外光透射到光刻机晶片托盘(7)上出现反射现象。
10.根据权利要求9所述的提高光刻胶曝光精度的方法,其特征在于,所述第一抛光透明基片(11)和第二抛光透明基片(13)具有很高的圆片级抛光平整性,其光洁度为Ra 0.012-0.8,表面粗糙度小于0.15nm,以保证其与光刻机晶片托盘(7)及透明衬底(6)之间的接触平整性。
11.根据权利要求7所述的提高光刻胶曝光精度的方法,其特征在于,所述透明衬底(6)为双面抛光透明衬底,所述第一抛光透明基片(11)和第二抛光透明基片(13)为双面抛光透明基片。
12.根据权利要求7所述的提高光刻胶曝光精度的方法,其特征在于,所述第一抛光透明基片(11)和第二抛光透明基片(13)均为玻璃片,所述第二光刻胶(12)为L300光刻胶。
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