[发明专利]一种内嵌式存储器及内嵌式存储系统无效
| 申请号： | 201110345252.4 | 申请日： | 2011-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102436426A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 蔡孟宏;李宽仁 | 申请（专利权）人： | 忆正存储技术（武汉）有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 薛祥辉 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 内嵌式 存储器 存储系统 | ||
1.一种内嵌式存储器，包括：闪存控制单元、MMC接口单元，其特征在于，还包括：至少一个片外闪存接口单元；
所述MMC接口单元对外向主机提供MMC接口，对内与所述闪存控制单元相连，通过所述MMC接口单元实现主机与所述闪存控制单元的数据交互；
所述片外闪存接口单元对外提供与扩展NAND闪存进行数据传输的接口，对内与所述闪存控制单元相连，通过所述片外闪存接口单元实现所述扩展NAND闪存与所述闪存控制单元的数据交互。
2.根据权利要求1所述的内嵌式存储器，其特征在于，还包括：片内NAND闪存和片内闪存接口单元；所述片内NAND闪存连接到所述片内闪存接口单元，所述片内闪存接口单元还与所述闪存控制单元相连，通过所述片内闪存接口单元实现片内NAND闪存与所述闪存控制单元的数据交互。
3.根据权利要求2所述的内嵌式存储器，其特征在于，所述片内NAND闪存为SLC NAND闪存、MLC NAND闪存或TLC NAND闪存。
4.根据权利要求1-3任一项所述的内嵌式存储器，其特征在于，所述内嵌式存储器为BGA封装芯片，所述片外闪存接口单元提供的与扩展NAND闪存进行数据传输的接口为所述BGA封装芯片的NC管脚。
5.根据权利要求4所述的内嵌式存储器，其特征在于，所述BGA封装芯片为AA、AB、AC或BA规格的芯片。
6.一种内嵌式存储系统，其特征在于，包括：如权利要求1-5任一项所述的内嵌式存储器、至少一个扩展NAND闪存；所述扩展NAND闪存与所述内嵌式存储器的片外闪存接口单元相连。
7.根据权利要求6所述的内嵌式存储系统，其特征在于，所述片内NAND闪存为SLC NAND闪存、MLC NAND闪存或TLC NAND闪存。
8.根据权利要求6或7所述的内嵌式存储系统，其特征在于，所述扩展NAND闪存为SLC NAND闪存、MLC NAND闪存或TLC NAND闪存。
9.根据权利要求8所述的内嵌式存储系统，其特征在于，所述扩展NAND闪存的存储容量大于等于所述片内NAND闪存的存储容量。
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