[发明专利]一种内嵌式存储器及内嵌式存储系统

说明书

技术领域

本发明涉及内嵌式存储技术，尤其涉及具有存储容量扩展性的内嵌式存储器及内嵌式存储系统。

背景技术

内嵌式存储器是外接式记忆卡MMC的延伸，其在手机生产领域与平板计算机(Tablet PC)应用领域都有很广泛的应用。请参考图1，内嵌式存储器1的结构包括：与主机相连的MMC接口、用于管理闪存的闪存控制单元、一块NAND闪存以及一个实现闪存控制单元与NAND闪存数据交互的片内闪存接口。内嵌式存储器的一个明显优势是将NAND闪存与闪存控制器封装在一个小型的BGA封装里面，并向主机提供一个对外的标准MMC接口。这样做不仅解决了NAND闪存与不同闪存控制器之间产生的兼容性问题，还缩短了新产品的上市周期、减少了研发成本。

内嵌式存储器里的NAND闪存芯片主要有三类，即SLC(Single-Level Cell单层式存储单元)NAND闪存、MLC(Multi-Level Cell双层式存储单元)NAND闪存和TLC(Triple-Level Cell三层式存储单元)NAND闪存。SLC NAND闪存具有读写速度快，寿命长的优点，但其生产成本较高，容量较小。而TLC NAND闪存的生产成本较低，容量大，但其读写速度慢，寿命短。MLC NAND闪存的读写速度、寿命、容量以及生产成本等指标均在其他两类NAND闪存之间。

现有的内嵌式存储器在封装上只有一个对外与主机相连的MMC接口，而封装内所装置的NAND闪存则决定了内嵌式存储器的绝对存储容量及存储媒介的种类。若想增加或减少存储容量则需要对整个内嵌式存储器进行重新设计，过程繁杂，生产成本过高。使整个内嵌式存储器的存储扩展性较差，成本控制难度加大。

发明内容

本发明要解决的主要技术问题是，提供一种内嵌式存储器及内嵌式存储系统，能够避免因内嵌式存储器上存储容量固化，造成其存储容量扩展性较差的问题。进一步还可以降低产品的整体储存成本。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：

一种内嵌式存储器，除了包括闪存控制单元、MMC接口单元之外，还包括一个或多个片外闪存接口单元。所述MMC接口单元对外向主机提供MMC接口，对内与所述闪存控制单元相连，通过所述MMC接口单元实现主机与所述闪存控制单元的数据交互。所述片外闪存接口单元对外提供与扩展NAND闪存进行数据传输的接口，对内与所述闪存控制单元相连，通过所片外闪存接口单元实现所述扩展NAND闪存与所述闪存控制单元的数据交互。存储器中还可以包括：片内NAND闪存和片内闪存接口单元；所述片内NAND闪存连接到所述片内闪存接口单元，所述片内闪存接口单元还与所述闪存控制单元相连，通过所述片内闪存接口单元实现片内NAND闪存与所述闪存控制单元的数据交互。其中的片内NAND闪存为SLC NAND闪存、MLC NAND闪存或TLC NAND闪存。

进一步地，所述内嵌式存储器为BGA封装芯片，所述片外闪存接口单元提供的与扩展NAND闪存进行数据传输的接口为所述BGA封装芯片的NC管脚。

更进一步地，所述BGA封装芯片为AA、AB、AC或BA规格的芯片。

一种内嵌式存储系统，包括：以上所述的内嵌式存储器、扩展NAND闪存，所述扩展NAND闪存与所述内嵌式存储器的片外闪存接口单元相连。

进一步地，所述片内NAND闪存为SLC NAND闪存、MLC NAND闪存或TLC NAND闪存。更进一步地，所述扩展NAND闪存为SLC NAND闪存、MLC NAND闪存或TLCNAND闪存。

更进一步地，所述扩展NAND闪存的存储容量大于等于所述片内NAND闪存的存储容量。

本发明的有益效果是：

本发明通过在内嵌式存储器上设置一个或多个片外闪存接口，并与闪存控制单元相连。使内嵌式存储器能够在自身存储容量固定的同时还可以对整个内嵌式存储系统存储容量进行扩展。提高了整个内嵌式存储系统的存储扩展性。进一步还可以对NAND闪存存储种类进行选择。通过对不同类型的NAND闪存进行选择组合，提高了产品的存储成本的可控性，降低了整体存储成本。

附图说明

图1为现有的内嵌式存储器1的结构示意图；

图2为本发明的内嵌式存储器2的结构示意图；

图3为本发明的内嵌式存储器的实施例一的结构示意图；

图4为本发明的内嵌式存储系统的实施例二的结构示意图；

图5为本发明的内嵌式存储系统的实施例三的结构示意图。

具体实施方式