[发明专利]减少芯片边缘光阻斜坡区域的方法无效
| 申请号： | 201110346464.4 | 申请日： | 2011-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN103091995A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 丁刘胜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/312 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张骥 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 减少 芯片 边缘 斜坡 区域 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种减少芯片边缘光阻斜坡区域的方法，其特征在于，包括以下步骤：
第一步，形成第一层光刻胶；
工序一、先采用六甲基二硅胺烷进行预处理，然后在底层上涂第一层光刻胶；之后进行软烘，然后用边缘光刻胶去除法对芯片进行洗边；
工序二、进行第一次芯片边缘曝光；
第二步，形成第二层光刻胶；
工序一、不使用溶剂，在第一层光刻胶上涂第二层光刻胶；之后进行软烘，然后用边缘光刻胶去除法进行洗边；
工序二、进行第二次芯片边缘曝光；
第二次芯片边缘曝光的宽度小于第一次芯片边缘曝光的宽度；
第三步，对芯片进行曝光；
第四步，依次进行后烘、显影、硬烘。
2.根据权利要求1所述的减少芯片边缘光阻斜坡区域的方法，其特征在于，所述第二次芯片边缘曝光的宽度b与第一次芯片边缘曝光的宽度a的关系为a-b＞0.3mm。
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