[发明专利]测定方法及测定装置

说明书

技术领域

本发明涉及用于测定形成于工件表面的保护膜的厚度的测定方法及测定装置。

背景技术

作为沿着切割道分割半导体晶片等工件的方法，公知有通过激光加工来进行分割的方法(例如，参照专利文献1)。在专利文献1的激光加工方法中，通过对半导体晶片照射激光光线，通过在照射区域产生的热能，将半导体晶片沿着切割道连续加工。在半导体晶片上的照射区域中，有时热能集中而产生碎片(加工屑)，存在如下问题：该碎片附着于LSI的焊接焊盘等上，降低半导体芯片的质量。

为了解决该问题，本申请人研发了在半导体晶片的表面形成水溶性的保护膜，通过保护膜向半导体晶片照射激光光线的激光加工方法(例如，参照专利文献2)。在专利文献2的激光加工方法中，由于通过保护膜加工半导体晶片，因此能够将通过激光加工飞溅的碎片附着在保护膜上。并且，在洗涤步骤中去除附着有碎片的保护膜，从而抑制碎片附着到半导体晶片的表面，防止半导体芯片的质量下降。

专利文献1日本特开平6-120334号公报

专利文献2日本特开2004-322168号公报

为了利用激光加工通过保护膜对半导体晶片进行加工，优选保护膜的厚度为一定。即，保护膜的厚度对激光加工结果产生影响，如果保护膜过薄，则不能够充分保护半导体晶片不受碎片影响，而如果保护膜过厚，则妨碍激光加工。因此，需要一种在进行激光加工之前精确测定半导体晶片上的保护膜的厚度的方法，而现有的进行测定方法的测定装置不仅体积大，而且成本高，存在准备与加工装置相应的数量的测定装置，或难以将测定装置组装到加工装置中的问题。

发明内容

本发明是鉴于这样的问题点而研发的，本发明的目的在于提供一种能够比现有的测定装置更简单且高精度地测定形成于工件表面的保护膜的厚度的测定方法及测定装置。

本发明的测定方法，测定保护膜的厚度，该保护膜由含有吸收激光的波长的光的吸收剂的水溶性树脂形成，以保护工件的表面不受在对工件进行所述激光加工时产生的加工屑的影响，该测定方法的特征在于包括：保护膜形成步骤，由所述含有吸收剂的水溶性树脂，在工件表面以形成规定厚度的方式形成所述保护膜；强度测定步骤，在所述保护膜形成步骤之后，对形成于工件表面的所述保护膜照射所述吸收剂所吸收的波长的光而测定反射强度；以及图制作步骤，通过改变在所述保护膜形成步骤中形成的所述保护膜的厚度并进行所述强度测定步骤，制作表示所述反射强度相对于所述保护膜的厚度变化的变化的图，在测定涂布于工件表面的所述保护膜的厚度时，实施保护膜厚度测定步骤，在该保护膜厚度测定步骤中，向所述保护膜照射所述吸收剂所吸收的波长的光而测定所述反射强度，根据所述图测定所述保护膜的厚度。

本发明的测定装置，其测定保护膜的厚度，该保护膜由含有吸收激光的波长的光的吸收剂的水溶性树脂形成，以保护工件的表面不受在对工件进行所述激光加工时产生的加工屑的影响，该测定装置的特征在于包括：光照射部，其向形成于工件表面的保护膜照射所述吸收剂所吸收的波长的光；受光部，其接收所述光照射部照射的光的反射光而取得反射强度；存储单元，其存储图，该图表示所述反射强度相对于所述保护膜的厚度变化的变化；以及计算单元，其根据由所述受光部取得的所述反射强度和由所述存储单元存储的所述图，求出所述保护膜的厚度。

根据这些结构，由于保护膜含有吸收加工用激光的波长的光的吸收剂，因此通过照射吸收剂所吸收的波长的光，制作表示反射强度相对于保护膜的厚度变化的变化的图。根据该图，由通过照射吸收剂所吸收的波长的光而得到的反射强度，能够高精度地测定保护膜的厚度。因此，能够在将保护膜的厚度保持为一定的状态下进行激光加工，抑制碎片对工件的附着而防止工件的质量下降。

并且，本发明在所述测定方法中，所述吸收剂所吸收的光的波长至少包括250nm以上且380nm以下，或460nm以上且650nm以下中的任一波长。

根据本发明，形成于工件表面的保护膜含有吸收激光波长的光的吸收剂，从而通过吸收剂所吸收的波长的光而能够高精度且比现有的测定装置更简单地测定保护膜的厚度。

附图说明

图1是表示根据本发明的测定方法的实施方式的图，是激光加工装置的立体图。

图2是表示根据本发明的测定方法的实施方式的图，是激光加工装置的厚度测定处理的光学系统的示意图。

图3是表示根据本发明的测定方法的实施方式的图，是表示保护膜的厚度与晶片的反射强度之间的关系的图。