[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；

第一欧姆层和第一电极，所述第一欧姆层和第一电极设置在所述第一导电类型半导体层上；以及

第二电极，所述第二电极设置在所述第二导电类型半导体层上，

其中，所述第一导电类型半导体层与所述第一欧姆层之间的接触区域包括原子比为5％或更多的氧和原子比为50％或更多的氮中的至少一种。

2.如权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一导电类型半导体层的接触区域在由氧气或氮气中的至少一种组成的气氛中被等离子体处理。

3.如权利要求2所述的发光器件，其中，所述等离子体处理根据反应离子蚀刻(RIE)、电感耦合等离子体(ICP)或溅射中的至少一种来执行。

4.如权利要求2或3所述的发光器件，其中，所述第一欧姆层形成在所述第一导电类型半导体层的经等离子体处理的接触区域上。

5.如权利要求2或3所述的发光器件，其中，在所述第一导电类型半导体层的经等离子体处理的表面上形成掩模之后，所述第一欧姆层形成在所述第一导电类型半导体层的接触区域上。

6.如权利要求1至3中的一项所述的发光器件，其中，所述第一欧姆层在形成在所述第一导电类型半导体层的接触区域之后被后退火。

7.如权利要求1所述的发光器件，其中，在光致抗蚀剂图案形成在所述第一导电类型半导体层之后，所述第一欧姆层形成在其中执行了氧或氮注入的第一导电类型半导体层的接触区域上。

8.如权利要求1至3以及7中的一项所述的发光器件，其中，所述第一欧姆层由选自由Ti、Cr、Al、V或W组成的组中的至少一种材料来构成。

9.如权利要求1至3以及7中的一项所述的发光器件，其中，所述第一欧姆层的厚度为0.5纳米至3.0微米。

10.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层，所述第一导电类型半导体层包括接触区域，所述接触区域包括原子比为5％或更多的氧或原子比为50％或更多的氮；

第一欧姆层，所述第一欧姆层形成在所述第一导电类型半导体层的接触区域上；以及

第一电极，所述第一电极形成在所述第一欧姆层上。

11.如权利要求10所述的发光器件，其中，所述第一导电类型半导体层的接触区域在由氧气或氮气中的至少一种组成的气氛中被等离子体处理。

12.如权利要求11所述的发光器件，其中，所述等离子体处理根据反应离子蚀刻(RIE)、电感耦合等离子体(ICP)或溅射中的一种来执行。

13.如权利要求11或12所述的发光器件，其中，在掩模形成在所述第一导电类型半导体层的经等离子体处理的表面上之后，所述第一欧姆层形成在所述第一导电类型半导体层的接触区域上。

14.如权利要求10所述的发光器件，其中，根据注入方法，所述第一导电类型半导体层的接触区域具备氧或氮中的至少一种。

15.如权利要求14所述的发光器件，其中，在光致抗蚀剂图案形成在所述第一导电类型半导体层上之后，所述第一欧姆层形成在其中执行了氧或氮注入的第一导电类型半导体层的接触区域上。

16.如权利要求10、11、12和14中的一项所述的发光器件，其中，所述第一欧姆层由选自由Ti、Cr、Al、V或W组成的组中的至少一种材料来形成。

17.如权利要求10、11、12和14中的一项所述的发光器件，其中，所述第一欧姆层的厚度为0.5纳米至3.0微米。

18.如权利要求10、11、12和14中的一项所述的发光器件，其中，所述第一欧姆层在形成在所述第一导电类型半导体层的接触区域上之后被后退火。

19.一种背光单元，包括：

导光板，所述导光板被构造成对从根据权利要求1或10所述的发光器件发出的光进行引导；以及

光学片，所述光学片布置在所述导光板的前表面上。

20.一种显示器件，包括：

电路板；

根据权利要求1或10所述的发光器件，所述发光器件设置在所述电路板上；

导光板，所述导光板被构造成对从所述发光器件发出的光进行引导；以及

液晶显示器，所述液晶显示器被构造成传输通过所述导光板发出的光。