[发明专利]发光器件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2010年8月30日提交的韩国专利申请No.10-2010-0084055的权益，其全部内容通过引用结合于此。

技术领域

本发明涉及一种发光器件。

背景技术

由于薄膜生长及薄膜器件元件的发展，使用半导体的3-5族或2-6族化合物半导体元素的、包括发光二极管和激光二极管的发光器件(其采用3-5族或2-6族半导体元素的化合物半导体)能够显示出各种颜色，例如红色、绿色和蓝色以及红外射线光。荧光材料的使用或颜色的组合使得发光器件能够呈现出具有以良好的发光效率而显示的白色光。与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比，该发光器件具有低功耗、半永久性的使用、快速的响应速度、安全及环境友好等若干优点。

因此，发光器件已经被广泛应用于光通信装置的传输模块、替代冷阴极荧光灯(CCFL)来构成液晶显示(LCD)装置的背光的发光二极管背光、替代荧光灯和白炽灯的发光二极管照明器件、汽车的前灯以及甚至是交通灯。

发明内容

相应地，本发明涉及一种发光器件。本发明的目的是为了提高发光器件的欧姆特性。

本公开的进一步优点、目的和特征部分地将在随后的说明书中被详细的阐述，并且通过对下文的研究或者对本发明的学习，部分地对本领域技术人员来说是显而易见的。本实施例的目的及其他优点可以通过撰写的说明书、权利要求书以及所附的附图所指出的具体结构来实现和获得。为了实现这些目的和其他优点以及根据本发明的目的，正如在此实现且广泛描述的那样，发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；第一欧姆层和第一电极，其设置在第一导电类型半导体层上；以及第二电极，其设置在第二导电类型半导体层上，其中第一导电类型半导体层和第一欧姆层之间的接触区域包括原子比为5％或更多的氧，或者原子比为50％或更多的氮。

在此，第一导电类型半导体层的接触区域可以在氧气或氮气气氛中被等离子体处理。

第一欧姆层可以由选自由Ti、Cr、Al、V和W组成的组中的材料来形成。

此外，第一欧姆层的厚度可以为0.5纳米至3.0微米。

本发明的另一方面，一种制造发光器件的方法包括在衬底上生长发光结构的步骤，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；在第二导电类型半导体层上形成第二电极；去除该衬底并且向第一导电类型半导体层的表面供应氧或氮；以及在第一导电类型半导体层上形成欧姆层和第一电极。

在此，氧或氮供应可以根据等离子体处理方法来执行。

等离子体处理可以根据反应离子蚀刻(RIE)、电感耦合等离子体(ICP)和溅射中的一种来执行。

此外，根据注入方法来执行氧或氮供应。

因此，根据本实施例的发光器件可以提高欧姆特性。

可以理解的是，本实施例的在前一般说明以及下文的详细说明都是示例性和说明性的，且其旨在为本实施例的权利要求提供进一步的说明。

附图说明

附图被包含以提供本公开的进一步解释，且被并入而组成本申请的一部分，该附图示出了本公开发明的实施例且与说明书一起用于解释本公开的原理。

在附图中：

图1a至1i是示出根据实施例的发光器件的制造方法的示意图；

图2是示出根据另一实施例的发光器件的示意图；

图3是示出根据实施例的发光器件封装的示意图；

图4是示出根据上述实施例的发光器件模块和照明器件的透视图；以及

图5示出包括根据上述实施例的发光器件的显示器件。

具体实施方式

如下文，将参照附图来说明本实施例的示例性实施例。

将可理解的是，当元件被称为在另一元件“上”或“下”时，其可以是直接在该元件上/下，也可以存在一个或多个插入元件。当元件被称为处于“上”或“下”时，基于该元件，可以包括“在元件下”以及“在元件上”。

在附图中，为了说明及精确，每一层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或者示意性地示出。在附图中所示的每个组件的尺寸可以不完全反映实际尺寸。

图1a至1i是示出根据第一实施例的发光器件的制造方法。