[发明专利]结合晶片级不同尺寸半导体管芯的方法和半导体器件

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供具有第一和第二相对表面的半导体晶片；

形成部分地穿过半导体晶片的第一表面的多个导电通孔；

将半导体晶片单体化为多个第一半导体管芯；

提供载体；

安装所述第一半导体管芯到所述载体；

安装第二半导体管芯到所述第一半导体管芯；

在第一和第二半导体管芯以及载体上沉积密封剂；

去除所述载体以及第二表面的一部分以暴露导电通孔；以及

在第一半导体管芯的与所述第二半导体管芯相对的表面上形成互连结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，第二半导体管芯的占位面积比第一半导体管芯的占位面积大。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在安装所述第二半导体管芯之前，在所述衬底的所述第一表面上形成导电层，所述导电层电连接到所述导电通孔；并且

在所述衬底的所述第一表面上形成绝缘层。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，在所述第一和第二半导体管芯之间沉积模塑底部填充材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二半导体管芯包括存储器件。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，在所述第一半导体管芯上堆叠多个第二半导体管芯。

7.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供多个第一半导体管芯；

形成穿过所述第一半导体管芯的多个导电通孔；

提供载体；

安装所述第一半导体管芯到所述载体；

安装第二半导体管芯到所述第一半导体管芯，其中第二半导体管芯的占位面积大于第一半导体管芯的占位面积；以及

在第一和第二半导体管芯以及载体上沉积密封剂。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

去除所述载体；以及

与所述第二半导体管芯相对地在第一半导体管芯上形成互连结构。

9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

形成部分地穿过所述第一半导体管芯的第一表面的所述多个导电通孔；

去除所述载体；以及

去除与所述第一半导体管芯的所述第一表面相对的所述第一半导体的第二表面的一部分，以暴露导电通孔。

10.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

在安装所述第二半导体管芯之前，在所述第一半导体管芯上形成导电层，所述导电层电连接到所述导电通孔；并且

在所述第一半导体管芯上形成绝缘层。

11.根据权利要求7所述的方法，进一步包括；在所述第一和第二半导体管芯之间沉积模塑底部填充材料。

12.根据权利要求7所述的方法，进一步包括，在所述第一半导体管芯上堆叠多个第二半导体管芯。

13.根据权利要求7所述的方法，进一步包括，形成穿过密封剂的多个导电通孔。

14.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供多个第一半导体管芯；

形成穿过所述第一半导体管芯的多个导电通孔；

提供载体；

安装所述第一半导体管芯到所述载体；

在第一半导体管芯和载体上沉积第一密封剂；

去除所述载体；

安装第二半导体管芯到第一半导体管芯；以及

在第二半导体管芯上沉积第二密封剂

15.根据权利要求14所述的方法，其中，第二半导体管芯的占位面积比第一半导体管芯的占位面积大。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第二半导体管芯包括存储器件。

17.根据权利要求14所述的方法，进一步包括，与所述第二半导体管芯相对地在第一半导体管芯上形成互连结构。

18.根据权利要求14所述的方法，进一步包括：

形成部分地穿过所述第一半导体管芯的第一表面的所述多个导电通孔；以及

去除与所述第一半导体管芯的所述第一表面相对的所述第一半导体的第二表面的一部分，以暴露导电通孔。