[发明专利]高功率发光二极管

权利要求书

1.一种高功率发光二极管，包含：一基板、两个第一芯片、两个第二芯片、一荧光层及一透镜，该透镜设于该基板并覆盖所述第一芯片、所述第二芯片及该荧光层；其特征在于：该高功率发光二极管还包含一上金属层，该上金属层被覆于该基板的上表面，且包括一固晶垫及多个沿该固晶垫周侧分布的导接垫；所述第一芯片和第二芯片设于该固晶垫，且所述第一芯片与所述第二芯片两两相对且交错设置；该荧光层选择性涂布地覆盖所述第一芯片。

2.如权利要求1所述的高功率发光二极管，其特征在于：该荧光层选择性涂布地覆盖所述第一芯片及相邻所述第一芯片的该固晶垫区域。

3.如权利要求1所述的高功率发光二极管，其特征在于：各该第二芯片相对于各该第一芯片相邻的一侧边旋转一角度设置，使各该第二芯片与各该第一芯片的邻边呈介于40度-50度的交角。

4.如权利要求1所述的高功率发光二极管，其特征在于：各该第一芯片与各该第二芯片的间距介于0.2mm-0.5mm。

5.如权利要求1所述的高功率发光二极管，其特征在于：该透镜的高度与其底部半径的比例大于1且小于1.2。

6.如权利要求1所述的高功率发光二极管，其特征在于：该透镜覆盖该固晶垫且该固晶垫呈正方形，其对角线长度等于该透镜底部的直径长度。

7.如权利要求1所述的高功率发光二极管，其特征在于：该高功率发光二极管还包含一下金属层及多个金属内导线，该下金属层被覆于该基板的下表面，且包括至少一散热垫及多个分别对应各该导接垫的焊接垫，各该金属内导线贯穿该基板以分别连接相对应的各该导接垫及各该焊接垫。

8.如权利要求7所述的高功率发光二极管，其特征在于：所述导接垫总共八个，且该固晶垫的每一侧边各分布两个，所述焊接垫总共八个，且该散热垫的两侧边各分布四个。

9.如权利要求1或6所述的高功率发光二极管，其特征在于：该上金属层还包括多个位于该固晶垫内且靠近该固晶垫边缘的凹槽。

10.如权利要求1所述的高功率发光二极管，其特征在于：该透镜由掺杂小于0.5wt％的扩散剂的胶态树脂固化而成。

11.如权利要求1所述的高功率发光二极管，其特征在于：该透镜具有一由胶态树脂固化而成的本体，及一被覆于该本体表面的扩散层。

12.一种高功率发光二极管，包含：一基板、两个第一芯片、两个第二芯片、一荧光层及一透镜，该透镜设于该基板并覆盖所述第一芯片、所述第二芯片及该荧光层；其特征在于：该高功率发光二极管还包含一上金属层，该上金属层被覆于该基板的上表面，且包括一固晶垫及多个沿该固晶垫周侧分布的导接垫；所述第一芯片和第二芯片设于该固晶垫，且所述第一芯片与所述第二芯片两两相对且交错设置，而且各该第二芯片相对于各该第一芯片相邻的一侧边旋转一角度设置；该荧光层选择性涂布地覆盖所述第一芯片。