[发明专利]基板处理方法、程序、计算机存储介质和基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，其将表面处理液供给至形成有高防水性膜的基板的表面上，该基板处理方法的特征在于，包括：

积液形成工序，从喷嘴将表面处理液供给至所述基板的周边部的一处来形成该表面处理液的积液；和

之后的积液移动工序，通过一边继续供给所述表面处理液一边将所述喷嘴从基板的周边部移动至基板的中心部，使得形成于基板的周边部的积液移动至基板的中心部。

2.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：

在所述积液形成工序中被供给表面处理液的位置为：在所述积液形成工序中形成的表面处理液的积液，与在所述积液移动工序中被移动至中心部的表面处理液的积液在俯视图中不干涉的位置。

3.如权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于：

在所述积液形成工序中被供给有表面处理液的位置，当所述喷嘴的移动速度为250mm/sec～1000mm/sec时，是距基板的中心部的距离为60mm～100mm的位置；当所述喷嘴的移动速度为200mm/sec～不足250mm/sec时，是距基板的中心部的距离为60mm～80mm的位置。

4.如权利要求1～3中任一项所述的基板处理方法，其特征在于：

所述表面处理液为纯水。

5.一种基板处理装置，其将表面处理液供给至形成有高防水性的膜的基板的表面上，该基板处理装置的特征在于，包括：

将表面处理液供给至基板上的喷嘴；

使所述喷嘴移动的喷嘴移动机构；和

对所述喷嘴和所述喷嘴移动机构的动作进行控制的控制部，

所述控制部按照以下方式对所述喷嘴和所述喷嘴移动机构进行控制：利用所述喷嘴将表面处理液供给至基板的周边部的一处来形成该表面处理液的积液，之后，通过一边继续供给所述表面处理液一边将所述喷嘴从基板的周边部移动至基板的中心部，使得形成于基板的周边部的积液移动至基板的中心部。

6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于：

所述控制部按照以下方式对所述喷嘴和所述喷嘴移动机构进行控制：当利用所述喷嘴将表面处理液供给至基板的周边部时，使得通过从该喷嘴向基板的周边部供给表面处理液所形成的表面处理液的积液，在俯视图中位于与将所述喷嘴的位置移动至基板的中心部时被移动到基板的中心部的表面处理液的积液不干涉的位置。

7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于：

在基板的周边部被供给有表面处理液的位置，当所述喷嘴的移动速度为250mm/sec～1000mm/sec时，是距基板的中心部的距离为60mm～100mm的位置；当所述喷嘴的移动速度为200mm/sec～不足250mm/sec时，是距基板的中心部的距离为60mm～80mm的位置。

8.如权利要求5～7中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：

所述表面处理液为纯水。