[发明专利]基板处理方法、程序、计算机存储介质和基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及形成有高防水性(water-repellent)的膜的基板的处理方法、程序、计算机存储介质和基板处理方法。

背景技术

例如在半导体装置的制造程序的光蚀刻工序中，例如依次进行向半导体晶片(以下称为“晶片”)上涂布抗蚀剂液形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂布处理、将该抗蚀剂膜曝光为规定的图案的曝光处理、对被曝光的抗蚀剂膜进行显影的显影处理等，在晶片上形成规定的抗蚀剂图案。

在上述的抗蚀剂膜的显影处理中，公知有在使曝光处理后的晶片旋转的状态下从喷嘴向晶片的中心部供给显影液，通过利用离心力使得显影液在晶片上扩散，对晶片上的抗蚀剂膜进行显影的方法。对于进行这种显影处理，需要以使得显影液遍及晶片的整个表面的方式来扩散显影液。

但是，作为抗蚀剂的材料有时会使用防水性较高的材料。当使用防水性较高的抗蚀剂的材料时，显影液对抗蚀剂膜的浸润性较低，因此，当使晶片旋转时显影液没有遍及晶片全面，由此，在没有正常进行显影的位置，析像不良或开口不良的显影缺陷产生的较多。

因此，例如在专利文献1，作为降低使用防水性较高的抗蚀剂时的显影缺陷的方法，提案有实施以下第1工序至第3工序的显影方法。即，首先，在第1工序中，为了提高显影液对抗蚀剂膜的浸润性，向晶片的中心部供给作为表面处理液的纯水，接着，使晶片沿垂直轴周围旋转，在晶片表面形成纯水的液膜。接着，在第2工序中，在形成液膜之后一边使基板旋转一边向基板的中心部供给显影液。在该第2工序中，晶片表面由于纯水变得容易浸润，因此，在表面处理没有充分遍及的位置也有显影液。通过该第1工序和第2工序，由纯水和显影液预先浸润晶片表面整体，即进行预湿(pre-wet)处理，显影时被供给至晶片表面的显影液的浸润性提高。之后，在第3工序中，通过一边使晶片旋转一边向晶片供给显影液，供给的显影液在第2工序中供给的显影液上浸润开来，进行抗蚀剂的显影。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2009-33053号公报

发明内容

发明想要解决的问题

但是，即使在使用上述的专利文献1的方法的情况下，根据涂布的抗蚀剂的种类，也依然会产生显影缺陷。而且，本发明者们对此点进行调查时确认，显影缺陷如图16所示主要在晶片的中心部产生。

而且，显影缺陷主要在晶片的中心部产生，所以本发明者们推测该显影缺陷的原因是：在从喷嘴供给的纯水落到晶片的位置，例如图17所示，在晶片W和纯水P之间形成有微小的气泡A，抗蚀剂膜R与接下的工序中被供给的显影液的接触被该气泡阻碍。

本发明是基于上述的内容而完成的，目的在于：通过消除当向基板上供给表面处理液时在基板与表面处理液之间产生的气泡，降低基板表面上的缺陷。

用于解决课题的方法

为了达成上述目的，本发明提供一种基板处理方法，其向形成有高防水性的膜的基板的表面上供给表面处理液，该基板处理方法的特征在于，包括：积液形成工序，其从喷嘴向上述基板的周边部的一个位置供给表面处理液，形成该表面处理液的积液；和之后的积液移动工序，其通过一边继续供给上述表面处理液一边使得喷嘴从基板的周边部向基板的中心部移动，使得形成于基板的周边部的积液向基板的中心部移动。

采用本发明，首先向基板的周边部的一个位置供给表面处理液时，被供给的表面处理液在落至基板的位置形成积液，并且在积液和基板之间产生微小的气泡。然后，一边继续供给表面处理液一边使得喷嘴向基板的中心部移动，使得形成于基板的周边部的积液向基板的中心部移动，能够使得介于基板与表面处理液之间的气泡露出到积液的外部而消失。因此，采用本发明，不存在由于向基板上供给表面处理液时在基板与表面处理液之间产生的气泡所致的例如阻碍抗蚀剂膜与显影液接触的问题。因此，能够降低基板表面上的缺陷。

在上述积液形成工序中被供给有表面处理液的位置可以是，在上述积液形成工序中形成的表面处理液的积液与在上述积液移动工序中被移动到中心部的表面处理液的积液在俯视时不干涉的位置。

当上述喷嘴的移动速度为250mm/sec～1000mm/sec时，在上述积液形成工序中被供给有表面处理液的位置是距基板的中心部的距离为60mm～100mm的位置，当上述喷嘴的移动速度为200mm/sec～不足250mm/sec时，在上述积液形成工序中被供给有表面处理液的位置是距基板的中心部的距离为60mm～80mm的位置。

另外，上述表面处理液可以为纯水。