[发明专利]测定方法以及测定装置

说明书

技术领域

本发明涉及对形成在工件表面上的保护膜的厚度进行测定的测定方法以及测定装置。

背景技术

作为沿着间隔道分割半导体晶片等工件的方法，公知有通过激光加工进行分割的方法(例如，参照专利文献1)。在专利文献1的激光加工方法中，通过对半导体晶片照射激光线，从而利用照射区域中产生的热能在半导体晶片上沿着间隔道连续地进行加工。在半导体晶片上的照射区域中，有时热能集中而产生碎屑(加工屑)，因而存在这样的问题：该碎屑附着在LSI的键合焊盘等上而降低半导体芯片的品质。

为了解决该问题，本发明申请人已考虑了在半导体晶片表面上形成水溶性保护膜，并透过保护膜对半导体晶片照射激光线的激光加工方法(例如，参照专利文献2)。在专利文献2的激光加工方法中，由于是透过保护膜对半导体晶片进行加工，因此能够使因激光加工而飞散的碎屑附着在保护膜上。并且，通过在清洗步骤中去除附着有碎屑的保护膜，抑制了碎屑在半导体晶片表面上的附着，防止了半导体芯片的品质下降。

【专利文献1】日本特开平6-120334号公报

【专利文献2】日本特开2004-322168号公报

为了通过激光加工并透过保护膜对半导体晶片进行加工，优选保护膜的厚度恒定。即、保护膜的厚度对激光加工结果有影响，当保护膜过薄时，不能充分保护半导体晶片不受碎屑影响，而当保护膜过厚时，会妨碍激光加工。因此，已经在寻求在进行激光加工之前高精度地测定半导体晶片上的保护膜的厚度的方法，但以往的执行测定方法的测定装置不仅大型而且成本高，存在需要准备与加工装置的台数相应量的测定装置、很难组装到加工装置中的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供能够比以往的测定装置更简单、且高精度地测定形成在工件表面上的保护膜的厚度的测定方法以及测定装置。

本发明的测定方法为了保护工件表面不受对工件进行激光加工时产生的加工屑的影响，测定由水溶性树脂形成的保护膜的厚度，所述水溶性树脂含有吸收所述激光的波长的光的吸收剂，该测定方法的特征在于，包括以下步骤：保护膜形成步骤，利用含有所述吸收材料的水溶性树脂，在工件表面上以达到规定厚度的方式形成所述保护膜；光谱测定步骤，在所述保护膜形成步骤之后，向形成于工件表面的所述保护膜照射所述吸收剂所吸收的波长的光，接收并测定因该光的吸收而由所述吸收剂发出的光谱；以及映射制作步骤，改变在所述保护膜形成步骤中形成的所述保护膜的厚度而进行所述光谱测定步骤，由此制作表示与所述保护膜的厚度变化对应的所述光谱的变化的映射，在测定涂布于工件表面的所述保护膜的厚度时，实施保护膜厚度测定步骤，在该保护膜厚度测定步骤中，向所述保护膜照射所述吸收剂所吸收的波长的光来测定所述光谱，基于所述映射测定所述保护膜的厚度。

本发明的测定装置为了保护工件表面不受对工件进行激光加工时产生的加工屑的影响，测定由水溶性树脂形成的保护膜的厚度，所述水溶性树脂含有吸收所述激光的波长的光的吸收剂，该测定装置的特征在于，具有：光照射部，其向形成于工件表面的保护膜照射所述吸收剂所吸收的波长的光；受光部，其接收所述吸收剂吸收来自所述光照射部的光而发出的光谱；存储单元，其存储表示与所述保护膜的厚度变化对应的所述光谱的变化的映射；以及计算单元，其基于所述受光部接收到的光谱和所述存储单元存储的所述映射，求出所述保护膜的厚度。

根据这些结构，由于保护膜含有吸收加工用激光的波长的光的吸收剂，因此，通过照射吸收剂所吸收的波长的光，能够制作表示与保护膜的厚度变化对应的光谱变化的映射。基于该映射，能够根据照射吸收剂所吸收的波长的光而得到的光谱，高精度地测定保护膜的厚度。因此，能够在保护膜的厚度保持为恒定的状态下进行激光加工，能够抑制碎屑在工件上的附着，防止工件的品质下降。另外，由于是测定保护膜吸收光而发出的光谱，因此能够与工件种类无关地，基于同一映射来测定保护膜。

另外，本发明在上述测定方法中，所述吸收剂所吸收的光的波长至少包含250nm以上且380nm以下、或者460nm以上且650nm以下的任意一种波长。

根据本发明，由于形成在工件表面上的保护膜含有吸收激光波长的光的吸收剂，因此，利用吸收剂所吸收的波长的光，能够高精度地且比以往的测定装置更简单地测定保护膜的厚度。

附图说明

图1是表示本发明的测定方法的实施方式的图，是激光加工装置的立体图。

图2是表示本发明的测定方法的实施方式的图，是激光加工装置的厚度测定处理的光学系统的示意图。