[发明专利]同步控制电路

权利要求书

1.一种同步控制电路，其特征在于，用以根据一控制器的一控制信号控制一图腾柱电路，而该图腾柱电路包含串联的一P型金属氧化物半导体场效晶体管及一N型金属氧化物半导体场效晶体管，其中该P型金属氧化物半导体场效晶体管的一第一端耦接一输入电压、该P型金属氧化物半导体场效晶体管的一第二端耦接该N型金属氧化物半导体场效晶体管的一第一端以及该N型金属氧化物半导体场效晶体管的一第二端耦接地，该同步控制电路包含：

一高端驱动电路，耦接该输入电压及该P型金属氧化物半导体场效晶体管的一控制端，并根据该控制信号产生一第一切换信号以控制该P型金属氧化物半导体场效晶体管的状态为一导通状态及一关闭状态，该高端驱动电路包含一电容，该电容的一端耦接该P型金属氧化物半导体场效晶体管的该控制端，另一端用以耦接该控制器以接收该控制信号；以及

一低端驱动电路，耦接该N型金属氧化物半导体场效晶体管的一控制端，并根据该控制信号产生一第二切换信号以控制该N型金属氧化物半导体场效晶体管的状态为一导通状态及一关闭状态；

其中，该P型金属氧化物半导体场效晶体管的该导通状态的一时序与该N型金属氧化物半导体场效晶体管的该导通状态的一时序彼此交错不重叠。

2.根据权利要求1所述的同步控制电路，其特征在于，该高端驱动电路包含一电阻及一二极管，该电阻及该二极管均耦接于该输入电压与该P型金属氧化物半导体场效晶体管的该控制端之间，使该P型金属氧化物半导体场效晶体管由该导通状态转为该关闭状态的一转换时间短于由该关闭状态转为该导通状态的一转换时间。

3.根据权利要求1所述的同步控制电路，其特征在于，该低端驱动电路包含一电阻及一二极管，该电阻及该二极管均耦接于该N型金属氧化物半导体场效晶体管的该控制端与该控制器之间，使该N型金属氧化物半导体场效晶体管由该导通状态转为该关闭状态的一转换时间短于由该关闭状态转为该导通状态的一转换时间。

4.一种同步控制电路，其特征在于，用以根据一控制器的一控制信号控制一图腾柱电路，而该图腾柱电路包含串联的一P型金属氧化物半导体场效晶体管及一N型金属氧化物半导体场效晶体管，其中该P型金属氧化物半导体场效晶体管的一第一端耦接一输入电压、该P型金属氧化物半导体场效晶体管的一第二端耦接该N型金属氧化物半导体场效晶体管的一第一端以及该N型金属氧化物半导体场效晶体管的一第二端耦接地，该同步控制电路包含：

一高端驱动电路，耦接该输入电压及该P型金属氧化物半导体场效晶体管的一控制端，并根据该控制信号产生一第一切换信号以控制该P型金属氧化物半导体场效晶体管的状态为一导通状态及一关闭状态，该高端驱动电路包含一晶体管开关，该晶体管开关的一第一端耦接该P型金属氧化物半导体场效晶体管的该控制端，该晶体管开关的一第二端用以耦接该控制器以接收该控制信号，而该晶体管开关的一控制端耦接该控制器的一工作电压；以及

一低端驱动电路，耦接该N型金属氧化物半导体场效晶体管的一控制端，并根据该控制信号产生一第二切换信号以控制该N型金属氧化物半导体场效晶体管的状态为一导通状态及一关闭状态；

其中，该P型金属氧化物半导体场效晶体管的该导通状态的一时序与该N型金属氧化物半导体场效晶体管的该导通状态的一时序彼此交错不重叠。

5.根据权利要求4所述的同步控制电路，其特征在于，该高端驱动电路包含一电阻及一二极管，该电阻及该二极管均耦接于该输入电压与该P型金属氧化物半导体场效晶体管的该控制端之间，使该P型金属氧化物半导体场效晶体管由该导通状态转为该关闭状态的一转换时间短于由该关闭状态转为该导通状态的一转换时间。

6.根据权利要求4所述的同步控制电路，其特征在于，该低端驱动电路包含一电阻及一二极管，该电阻及该二极管均耦接于该N型金属氧化物半导体场效晶体管的该控制端与该控制器之间，使该N型金属氧化物半导体场效晶体管由该导通状态转为该关闭状态的一转换时间短于由该关闭状态转为该导通状态的一转换时间。