[发明专利]同步控制电路

说明书

技术领域

本发明是关于一种同步控制电路，尤指一种用以驱动图腾柱电路的同步控制电路。

背景技术

请参考图1，为已知的一降压直流转直流转换电路的电路示意图，用以将一输入电压Vin转成稳定的一输出电压Vout。降压直流转直流转换电路包含一控制器Con、一P型金属氧化物半导体场效晶体管SW1、一N型金属氧化物半导体场效晶体管SW2、一电感L、一电容C以及一电压检测电路VD。电压检测电路VD检测输出电压Vout以产生一电压反馈信号VFB。控制器Con根据电压反馈信号VFB以产生一控制信号Sco以同时控制P型金属氧化物半导体场效晶体管SW1、N型金属氧化物半导体场效晶体管SW2的导通与关闭，使输出电压Vout稳定于一预定电压值。

而为使控制信号Sco能确实让P型金属氧化物半导体场效晶体管SW1及N型金属氧化物半导体场效晶体管SW2导通与关闭，控制器Con必须耦接输入电压Vin。请参考图2，为图1所示的降压直流转直流转换电路中控制信号Sco的波形图。由图可知，控制信号Sco的准位于0伏特与输入电压Vin之间切换。当控制信号Sco为0伏特时，N型金属氧化物半导体场效晶体管SW2为关闭而P型金属氧化物半导体场效晶体管SW1为导通，电力由输入电压Vin输入，经P型金属氧化物半导体场效晶体管SW1而储存于电感L及电容C。当控制信号Sco为输入电压Vin时，N型金属氧化物半导体场效晶体管SW2为导通而P型金属氧化物半导体场效晶体管SW1为关闭，储存于电感L及电容C的电力经N型金属氧化物半导体场效晶体管SW2的回路而释放，以维持输出电压Vout的准位。

然而，控制器Con的耐压能力必须高于输入电压Vin，因此输入电压Vin越高，控制器Con的制程成本就会上升。若配合应用于不同的输入电压Vin而提供不同耐压能力的控制器Con，则也会造成生产厂商的库存上升，不利于成本的控制。

发明内容

鉴于现有技术中的控制器Con需配合实际应用而提升耐压能力时，会造成制程成本的增加，亦或配合实际应用提供多种耐压能力的控制器时，也不利营运时的库存成本控制。本发明提供一种同步控制电路，以进行控制信号的转换而控制P型金属氧化物半导体场效晶体管及N型金属氧化物半导体场效晶体管，使控制器得以低压制程来制作而降低制程成本。而且经同步控制电路进行信号转换后，也可以使P型金属氧化物半导体场效晶体管及N型金属氧化物半导体场效晶体管由关闭状态转成导通状态的时间拉长，而抑制输出电压的电压突波的幅度，以避免过大电压突波可能的电路组件损毁的问题。

为达上述目的，本发明提供一种同步控制电路，用以根据一控制器的一控制信号控制一图腾柱电路。图腾柱电路包含串联的一P型金属氧化物半导体场效晶体管及一N型金属氧化物半导体场效晶体管。P型金属氧化物半导体场效晶体管的一第一端耦接一输入电压，P型金属氧化物半导体场效晶体管的一第二端耦接N型金属氧化物半导体场效晶体管的一第一端以及N型金属氧化物半导体场效晶体管的一第二端耦接地。同步控制电路包含一高端驱动电路及一低端驱动电路。高端驱动电路耦接输入电压及P型金属氧化物半导体场效晶体管的一控制端，并根据控制信号产生一第一切换信号以控制P型金属氧化物半导体场效晶体管的状态为一导通状态及一关闭状态。高端驱动电路包含一晶体管开关，晶体管开关的一第一端耦接P型金属氧化物半导体场效晶体管的控制端，晶体管开关的一第二端用以耦接控制器以接收控制信号，而晶体管开关的一控制端耦接控制器的一工作电压。低端驱动电路耦接N型金属氧化物半导体场效晶体管的一控制端，并根据控制信号产生一第二切换信号以控制N型金属氧化物半导体场效晶体管的状态为一导通状态及一关闭状态。其中，P型金属氧化物半导体场效晶体管的导通状态的一时序与N型金属氧化物半导体场效晶体管的导通状态的一时序彼此交错不重叠。