[发明专利]一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

权利要求书

1.一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括金属化漏极（1）、N⁺衬底（2）、N^-漂移区（3）、深P体区（5）、N型重掺杂源区（6）、P型重掺杂区（7）、栅氧化层（10）、多晶硅栅电极（11）和金属化源极（12），金属化漏极（1）位于N⁺衬底（2）背面，N^-漂移区（3）位于N⁺衬底（2）正面，N^-漂移区（3）的上部为结型场效应晶体管区（4），其特征在于：①深P体区（5）位于N^-漂移区（3）上方两侧，通过P型重掺杂区（7）、金属化源极（12）与N型重掺杂源区（6）相连，抑制器件的寄生三极管效应，栅氧化层（10）生长于P外延层（9）和结型场效应晶体管区（4）之上，栅氧化层（10）的表面是多晶硅栅电极（11），所述多晶硅栅电极（11）与金属化源极（12）之间设置了隔离介质；

②在N型重掺杂源区（6）与结型场效应管区（4）之间设置有两层导电沟道结构：N型埋层沟道（8）和P型外延层（9），所述N型埋层沟道（8）设置在下方，所述P型外延层（9）放在上方，用于形成反型沟道。

2.根据权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，P型外延层（9）和N型埋层沟道（8）均为外延生长层，其中P型外延层（9）厚度为0.1μm，N型埋层沟道（8）的厚度为0.2μm。

3.根据权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，P型外延层（9）在导通时形成反型沟道，N型埋层沟道（8）提供额外电子源，产生电导调制效应。

4.根据权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，结型场效应晶体管区（4）的表面进行了离子注入，使其表面掺杂浓度高于下方的漂移区。