[发明专利]阵列基板及制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

形成包括栅线、栅极、栅绝缘层和半导体有源层的图形；

形成包括保护层和位于保护层的过孔的图形；

形成包括像素电极、数据线、源极和漏极的图形。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成包括栅线、栅极、栅绝缘层和半导体有源层的图形包括：

在基板上依次形成栅金属层薄膜、栅绝缘层薄膜、半导体有源层薄膜；

在所述半导体有源层薄膜上形成光刻胶；

利用半色调掩模板或灰度掩模板对光刻胶进行曝光、显影后形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，所述光刻胶完全保留区域对应所述栅极上方，所述光刻胶半保留区域对应所述栅线上方，所述光刻胶完全去除区域对应光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域以外的区域；

利用刻蚀工艺刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域的所述半导体有源层薄膜、所述栅绝缘层薄膜、所述栅金属层薄膜；利用灰化工艺去除掉所述光刻胶半保留区域的光刻胶；然后利用刻蚀工艺刻蚀掉所述光刻胶半保留区域的所述半导体有源层薄膜；最后去除掉所述光刻胶完全保留区域的光刻胶，形成包括栅极、栅线、栅绝缘层、半导体有源层的图形。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述形成包括保护层和位于保护层的过孔的图形包括：

在形成有所述栅线、栅极、栅绝缘层、半导体有源层的基板上，依次形成保护层薄膜、导电层薄膜；

在所述导电层薄膜上形成光刻胶；

对光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域，所述光刻胶完全去除区域对应位于保护层的过孔区域，所述光刻胶完全保留区域对应光刻胶完全去除区域以外的区域；

利用刻蚀工艺刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域的所述导电层薄膜和所述保护层薄膜；

去除所述光刻胶完全保留区域的光刻胶，形成包括保护层和位于保护层的过孔的图形。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述形成包括像素电极、数据线、源极和漏极的图形包括：

在形成有所述保护层和过孔的基板上形成数据金属层薄膜；

在所述数据金属层薄膜上形成光刻胶；

利用半色调掩模板或灰度掩模板对光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域、光刻胶完全去除区域，所述光刻胶完全保留区域对应所述源极、漏极、数据线，所述光刻胶半保留区域对应像素电极区域，所述光刻胶完全去除区域对应所述光刻胶完全保留区域、所述光刻胶半保留区域之外的区域；

利用刻蚀工艺刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域的所述数据金属层薄膜和所述导电层薄膜；

通过灰化工艺去除掉所述光刻胶半保留区域的光刻胶；

利用刻蚀工艺去除掉所述光刻胶半保留区域的所述数据金属层薄膜；

去除所述光刻胶完全保留区域的光刻胶，形成包括像素电极、数据线、源极和漏极的图形。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述去除光刻胶完全保留区域的光刻胶，形成包括保护层和过孔的图形之前，还包括：

在所述基板上形成欧姆接触层薄膜；

采用离地剥离工艺剥离所述光刻胶完全保留区域的光刻胶，形成欧姆接触层。

6.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

形成于基板上的栅极、栅线，依次形成于所述栅极上的栅绝缘层和半导体有源层；

在形成有栅极、栅线、栅绝缘层和半导体有源层的所述基板上形成的保护层和位于保护层的过孔；

形成于所述保护层上的像素电极、数据线、源极和漏极，源极和数据线连接，漏极和像素电极相连接，所述源极、漏极通过所述过孔与所述半导体有源层相连。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述位于保护层的过孔下方的半导体有源层上形成有欧姆接触层。

8.根据权利要求6或7所述的阵列基板，其特征在于，所述漏极位于过孔以外的区域位于像素电极上方并于像素电极搭接。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述源极位于过孔以外的区域保留有像素电极材料。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求6～9任一项所述的阵列基板。