[发明专利]阵列基板及制造方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及制造方法、显示装置。

背景技术

TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)由于具有体积小、功耗低、无辐射等特点而备受关注，在平板显示领域中占据了主导地位，被广泛的应用到各行各业中。一个液晶显示器中的TFT阵列基板的制作是通过一组薄膜的沉积和光刻工艺形成图案完成的。光刻用的掩模板数目是衡量制造TFT阵列基板工艺繁简程度，一次光刻工艺使用一个掩模板，这样减少一个掩模板就会降低制造成本。

为了有效的降低TFT阵列基板的制造成本，TFT阵列基板的制造工艺从开始的七次掩模工艺发展到采用灰度掩模板技术的四次掩模工艺。四次掩模工艺通常为，第一步是在基板上通过构图工艺形成栅线、栅极图形；第二步是采用灰度掩模板，通过构图工艺在栅线、栅极上形成栅绝缘层、半导体有源层、源极、漏极和数据线图形；第三步，在源极、漏极上形成保护层、漏极与像素电极连接的过孔；第四步，在保护层上形成像素电极。这里的构图工艺是指薄膜沉积、掩模板曝光、显影、刻蚀和光刻胶去除工序。

而在实现上述四次掩模工艺的过程中，TFT阵列基板的制造工艺仍较为复杂，掩模板数量多的缺陷，使得TFT阵列基板的制造成本较高，生产效率低。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及制造方法、显示装置，能够简化制造工艺，降低TFT阵列基板的制造成本，提高生产效率。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种阵列基板的制造方法，包括：

形成包括栅线、栅极、栅绝缘层和半导体有源层的图形；

形成包括保护层和位于保护层的过孔的图形；

形成包括像素电极、数据线、源极和漏极的图形。

一种阵列基板，包括：

基板；

形成于基板上的栅极、栅线，依次形成于所述栅极上的栅绝缘层和半导体有源层；

在形成有栅极、栅线、栅绝缘层和半导体有源层的所述基板上形成的保护层和位于保护层的过孔；

形成于所述保护层上的像素电极、数据线、源极和漏极，源极和数据线连接，漏极和像素电极相连接，所述源极、漏极通过所述过孔与所述半导体有源层相连。

一种显示装置，包括上述阵列基板。

本发明实施例提供的阵列基板及制造方法、显示装置，通过在基板上形成包括栅线、栅极、栅绝缘层、半导体有源层的图形；通过在形成有栅线、栅极、栅绝缘层、半导体有源层的基板上，形成有包括保护层和位于保护层的过孔；通过在形成有所述保护层和位于保护层的过孔的基板上形成包括像素电极、数据线、源极、漏极，从而简化了阵列基板的制造工艺，降低了制造成本，提高生产效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的TFT阵列基板的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法流程示意图；

图3为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法S201形成栅金属薄膜层、栅绝缘层薄膜、半导体有源层薄膜后的沿图1A-A向剖视图；

图4为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法S201曝光显影后的沿图1A-A向剖视图；

图5为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法S201形成栅线、栅极、栅绝缘层、半导体有源层的沿图1A-A向剖视图；

图6为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法S202形成保护层薄膜、导电层薄膜后的沿图1A-A向剖视图；

图7为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法S202曝光显影后的沿图1A-A向剖视图；

图8为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法S202形成保护层和过孔后的沿图1A-A向剖视图；

图9为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法S203形成数据金属层薄膜后的沿图1A-A向剖视图；

图10为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法S203曝光显影后的沿图1A-A向剖视图；

图11为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法S203形成像素电极、数据线、源极、漏极后的沿图1A-A向剖视图；