[发明专利]一种疏水性纳米二氧化硅的制备方法

权利要求书

1. 一种疏水性纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，将四氯化硅加入碱性溶液中进行水解反应制备二氧化硅，在反应液中加入有机修饰剂后进行反应，然后水洗、干燥获得疏水性纳米二氧化硅；或者对反应液水洗后再加入有机修饰剂进行反应，然后干燥获得疏水性纳米二氧化硅。

2.如权利要求1所述的疏水性纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，在水洗或未经水洗的反应液中加入表面修饰剂后，在室温与100℃之间反应1-10h。

3.如权利要求2所述的疏水性纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述的有机修饰剂为有机硅化合物和/或有机酸化合物，所述的修饰剂带有三甲基、二甲基、乙基、乙烯基、氟代烷基中的一种或几种疏水性基团。

4.如权利要求3所述的疏水性纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，有机硅化合物为碳链长度为1-20的烷氧基硅烷、氯硅烷或硅氮烷；有机酸分子式为RCOOH，其中R的碳链长度为2-20。

5.如权利要求3所述的疏水性纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，有机修饰剂和反应液中生成的二氧化硅的物质的量比为1:2-15。

6.如权利要求1-5之一所述的疏水性纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，四氯化硅在碱性溶液中水解制备二氧化硅的步骤如下：搅拌条件下在碱的水溶液中加入四氯化硅至溶液pH值为3-5或8-10，温度控制在室温和100℃之间，反应1-10h。

7.如权利要求6所述的疏水性纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，碱在水中的质量浓度为2-40%。

8.如权利要求6所述的疏水性纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述的碱为（偏）硅酸钠、碳酸钠、氢氧化钠、氨或胺。

9.如权利要求1所述的疏水性纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述的干燥为烘干或喷雾干燥。

10.如权利要求9所述的疏水性纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，烘干的温度为100-200℃。