[发明专利]一种可控制备荧光碳点的方法无效
申请号: | 201110356592.7 | 申请日: | 2011-11-11 |
公开(公告)号: | CN102492421A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 庞代文;包蕾;张志凌;田智全 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | C09K11/65 | 分类号: | C09K11/65;C25D11/02 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 汪俊锋 |
地址: | 430072 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可控 制备 荧光 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种可控制备荧光碳点的方法,属于化学及材料科学领域。
背景技术
近年来,一种新型可发光的碳纳米材料——碳点,受到广泛关注。碳点是一种单分散的形貌类似球状的荧光碳质纳米材料,其粒径一般小于10 nm。此类碳纳米材料具有优良的荧光性能,如耐光漂,非闪烁、发射波长可调、上转换性能等。与此同时,其具有良好的水溶性、低毒、粒径小、生物相容性好以及廉价易得等特点。因此,碳点将有望取代含重金属的半导体量子点,在材料科学、生物化学、电子器件以及生物医学等方面具有广阔的应用前景。虽然目前已发展了多种制备碳点的方法,如激光消融法、电化学方法、电弧放电法、微波法、热解法等,但往往难以对制备的碳点实现有效精确的控制(包括尺寸控制、发光性质控制等),产品单一。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种可控制备荧光碳点的方法,可以精确控制碳点的粒径大小和发光波长。
为了实现荧光碳点的可控制备,本发明以碳纤维为工作电极,在含有四丁基高氯酸铵的乙腈溶液中,仅通过调节施加在工作电极上的电极电势,得到粒径不同的碳点。通过对碳点表面的电化学氧化,实现在不改变碳点的粒径,而调节碳点发光红移。通过该方法,已达到实现制备小粒径、发长波长的荧光碳点。
本发明的方法,具体包括如下步骤:
① 以碳纤维为工作电极,四丁基高氯酸铵的乙腈溶液作为电解液,对工作电极施加电势进行电氧化;
② 收集乙腈溶液,蒸发除去乙腈,在所得到固体中,加入超纯水,超声分散;
③ 将超声分散所得的溶液,经过滤膜,将沉淀滤去,并将滤液用分子截留量为1,000的透析袋透析后即得到碳点的水溶液。
改变步骤1中施加于工作电极上的电势,即可得到不同粒径的碳点,即 0.5V下制备得到(3.3 ± 0.6) nm碳点,1.2V 下制备得到(2.9 ± 0.5) nm碳点, 1.5V下制备得到(2.7 ± 0.7) nm碳点, 2.0V下制备得到(2.4 ± 0.6) nm 碳点, 2.5V下制备得到 (2.2 ± 0.6) nm的碳点。另外,在恒定电势情况下,制备得到的碳点的粒径不受制备时间的影响:在制备电势为0.5V,制备时间为30min 和300min得到碳点的粒径均为(3.3 ± 0.6) nm;在制备电势为2.5V,制备时间为30min和300 min得到碳点的粒径均为(2.2 ± 0.5) nm。
通过以上步骤,一般可以得到光谱最佳发射峰为400~450nm的荧光碳点。通过调节制备时的氧化电势,可以得到不同粒径的荧光碳点,具有相应的最佳发射峰。为了实现对最佳发射峰的调控,尤其是得到最佳发射峰在450nm以上的荧光碳点,还包括以下步骤:
④ 将步骤(3)中制备得到的碳点,加入到新鲜制备的含四丁基高氯酸铵的乙腈溶液中,并在乙腈溶液中加入少量水增强氧化性,以铂杯为工作电极,进一步氧化碳点,得到粒径不变,光谱最佳发射峰红移的荧光碳点。
例如:在2.5V制备得到的碳点,加入到新鲜准备的含0.1M四丁基高氯酸铵的乙腈溶液中并在乙腈溶液中加入少量水(5wt%)以铂杯为工作电极,设定电势为2.5V 恒电势,进一步氧化碳点表面两小时,得到粒径不变,光谱最佳发射峰为500nm的绿色荧光碳点。
本发明利用电化学方法调控氧化电势,实现了对碳点的粒径及表面状态的调控,该方法具有条件温和,无须进一步分离即可得到单分散且粒径均一的碳点等特点。本发明可更广泛地应用于化学、生物和材料科学等领域。
附图说明
图 1在不同的氧化电势下0.5V,1.5V及2.5V氧化电势下制备得到碳点透射电镜图。
图 2 在氧化电势分别为0.5V,制备时间分别为30min和300min下得到碳点透射电镜图及粒径分布情况。
图3在氧化电势分别为2.5V,制备时间分别为30min和300min下得到碳点透射电镜图及粒径分布情况。
图4 在氧化电势为0.5V时,制备得到碳点C-dots0.5V的荧光光谱图。其荧光发射光谱具有随着激发光光谱的改变而改变的特征,其最佳荧光发射峰为400nm,对应的激发波长为320nm。
图 5在氧化电势为1.5V时,制备得到碳点C-dots1.5V的荧光光谱图。其荧光发射光谱具有随着激发光光谱的改变而改变的特征,其最佳荧光发射峰为430nm,对应的激发波长为340nm。
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