[发明专利]一种金属栅极的形成方法有效
| 申请号： | 201110357958.2 | 申请日： | 2011-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103107074A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 倪景华;李凤莲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8238;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 栅极 形成 方法 | ||
1.一种金属栅的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一晶体管区和第二晶体管区；
在所述半导体衬底上形成掺杂的替代栅，所述替代栅同时位于所述第一晶体管区和第二晶体管区内；
第一干法刻蚀所述第一晶体管区的替代栅，形成第一沟槽，湿法清洗所述第一沟槽；
在第一沟槽内填充满金属，形成第一金属栅极；
第二干法刻蚀所述第二晶体管区的替代栅，形成第二沟槽，并在第二沟槽内形成第二金属栅极。
2.如权利要求1所述的金属栅的形成方法，其特征在于，所述湿法清洗采用的溶液为四甲基氢氧化铵溶液。
3.如权利要求2所述的金属栅的形成方法，其特征在于，所述四甲基氢氧化铵溶液的浓度范围为1％～10％。
4.如权利要求1所述的金属栅的形成方法，其特征在于，所述湿法清洗的时间为5～10秒。
5.如权利要求1所述的金属栅的形成方法，其特征在于，所述掺杂离子为硼离子、磷离子、砷离子、碳离子或氮离子。
6.如权利要求1所述的金属栅的形成方法，其特征在于，所述替代栅材料为多晶硅或无定型硅。
7.如权利要求1所述的金属栅的形成方法，其特征在于，所述第一干法刻蚀采用的气体为溴化氢和氯气。
8.如权利要求1所述的金属栅的形成方法，其特征在于，所述第二干法刻蚀采用的气体为溴化氢。
9.如权利要求1所述的金属栅的形成方法，其特征在于，所述替代栅和半导体衬底之间还形成有栅介质层。
10.如权利要求1所述的金属栅的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底上还形成有隔离结构。
11.如权利要求1所述的金属栅的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底上还形成有介质层，所述介质层表面与形成有隔离结构与替代栅表面平齐。
12.如权利要求1所述的金属栅的形成方法，其特征在于，所述第一晶体管区为PMOS晶体管区，所述第二晶体管区为NMOS晶体管区。
13.如权利要求1所述的金属栅的形成方法，其特征在于，所述第一晶体管区为NMOS晶体管区，所述第二晶体管区为PMOS晶体管区。
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