[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括步骤：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上依次形成刻蚀阻挡层、超低k介质层和保护层，所述保护层的介电常数范围包括：2.2～2.5，所述保护层具有致密的结构；

依次刻蚀所述保护层、超低k介质层和刻蚀阻挡层至露出所述半导体衬底，形成沟槽；

在所述沟槽中填充满金属层；

对所述金属层进行平坦化处理，并去除部分保护层，剩余的保护层的上表面与金属层的上表面齐平。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述超低k介质层的介电常数为小于或等于2.5。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述超低k介质层的材料为SiOCH。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料包括氮化硼。

5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度范围包括

6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述剩余的保护层的厚度大于或等于

7.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料包括铜。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在形成沟槽之前，在所述保护层上依次形成绝缘层、抗反射层和光刻胶层；对所述光刻胶层进行图案化处理，形成开口图形；以所述光刻胶层为掩模，沿开口图形依次刻蚀所述抗反射层、绝缘层、保护层、超低k介质层和刻蚀阻挡层至露出所述半导体衬底，形成沟槽；在所述沟槽中填充满金属层之前，依次去除所述光刻胶层和抗反射层；在对所述金属层进行平坦化处理时，去除所述绝缘层。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在形成沟槽之前，在所述保护层上依次形成抗反射层和光刻胶层；对所述光刻胶层进行图案化处理，形成开口图形；以所述光刻胶层为掩模，沿开口图形依次刻蚀所述抗反射层、保护层、超低k介质层和刻蚀阻挡层至露出所述半导体衬底，形成沟槽；在所述沟槽中填充满金属层之前，依次去除所述光刻胶层和抗反射层。

10.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

依次位于所述半导体衬底上的刻蚀阻挡层、超低k介质层和保护层；所述保护层的介电常数范围包括：2.2～2.5，所述保护层具有致密的结构；

位于所述半导体衬底上，且依次被所述保护层、超低k介质层和刻蚀阻挡层所包围的金属布线层或导电插塞。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述保护层的材料包括氮化硼。

12.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述保护层的厚度范围大于或等于且小于

13.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述超低k介质层的介电常数为小于或等于2.5。

14.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，所述超低k介质层的材料为SiOCH。

15.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述金属布线层或导电插塞的材料包括铜。