[发明专利]半导体器件封装方法及半导体器件封装

权利要求书

1.一种制造分立半导体器件封装(100)的方法，包括：

提供引线框(10)；

在引线框中形成凹部(14)，所述凹部具有实质上等于分立半导体器件厚度的深度，其中引线框的与凹部相邻的凸出部限定了第一接触区(12)；

将分立半导体器件(20)放置在凹部中，其中分立半导体器件(20)的有源区面向下，分立半导体器件的暴露表面(22)限定了第二接触区；

将生成的产品模制在保护层(30)中，使得包括第一接触区和第二接触区的表面暴露；

用保护性电绝缘层覆盖与包含第一接触区和第二接触区的表面相对的表面；以及

用相应的镀层(40)覆盖暴露的第一接触区和第二接触区。

2.根据权利要求1所述的方法，其中将分立半导体器件(20)放置在凹部(14)中的步骤包括：使用导电固定剂将放置的分立半导体器件与引线框(10)互连。

3.根据权利要求2所述的方法，其中导电固定剂是导电粘合胶或导电晶片背涂层。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中形成凹部的步骤是通过刻蚀或冲压来执行的。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中：

刻蚀凹部(14)的步骤包括：在引线框(10)中刻蚀多个凹部，其中引线框的与每个凹部相邻的凸出部限定了相应的第一接触区(12)；并且

将分立半导体器件(20)放置在凹部(14)中的步骤包括：在每个凹部中放置分立半导体器件，分立半导体器件的暴露表面(22)限定了相应的第二接触区；

所述方法还包括：将引线框(10)分离成各个独立的分立半导体器件封装。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，分立半导体器件(20)的厚度与凹部(14)的深度之间的差值小于0.1mm。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中将生成的产品模制在保护层(30)中的步骤包括：用保护箔覆盖第一接触区(12)和第二接触区(22)，以防止模制材料形成在第一接触区(12)和第二接触区(22)上。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中引线框(10)是方形扁平无引线QFN引线框。

9.一种分立半导体器件封装(100)，包括：

引线框部(10)，包括凹部(14)，所述凹部(14)具有实质上等于分立半导体器件(20)厚度的深度，其中引线框部的与凹部相邻的凸出部限定了第一接触区(12)；

在凹部中的分立半导体器件(20)，其中分立半导体器件的暴露表面(22)限定了第二接触区；

保护层(30)，覆盖所述引线框部和分立半导体器件，但不覆盖第一接触区和第二接触区；

另一保护绝缘层，在与包括第一接触区和第二接触区的表面相对的表面上；和

覆盖第一接触区和第二接触区的相应的镀层(40)。

10.根据权利要求9所述的分立半导体器件封装(100)，其中分立半导体器件(20)通过导电固定剂与引线框部(10)互连。

11.根据权利要求10所述的分立半导体器件封装(100)，其中导电固定剂是导电粘合胶、导电晶片背涂层或焊接互连。

12.根据权利要求9-11任一项所述的分立半导体器件封装(100)，其中分立半导体器件(20)以其有源侧向下的方式放置在所述凹部(14)中。

13.根据权利要求9-12中任一项所述的分立半导体器件封装(100)，其中分立半导体器件(20)的厚度与凹部(14)的深度之间的差值小于0.1mm。

14.根据权利要求9-13中任一项所述的分立半导体器件封装(100)，其中相应的镀层(40)分别盖住分立半导体器件封装的相应的端面。

15.一种载体(200)，包括：

第一载体接触(210)和第二载体接触(220)，所述载体还包括根据权利要求9-14中任一项所述的分立半导体器件封装(100)，其中第一载体接触通过相应的焊剂部(150)导电地连接到第一接触区，第二载体接触通过相应的焊剂部(150)导电地连接到第二接触区。