[发明专利]一种二氧化钒及其掺杂粉体的制备方法有效
申请号: | 201110360377.4 | 申请日: | 2011-11-15 |
公开(公告)号: | CN102502824A | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
发明(设计)人: | 黄驰;张依福;刘兴海;樊美娟 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | C01G31/02 | 分类号: | C01G31/02 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 张火春 |
地址: | 430072 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化 及其 掺杂 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于无机功能材料的制备领域,尤其涉及一种二氧化钒及其掺杂粉体的制备方法。
背景技术
二氧化钒(VO2)是一种典型的具有相变特性的金属氧化物,其在68℃附近会发生低温单斜相(M)和高温四方金红石相(R)的可逆相变,VO2的相变温度是目前所知具有此种相变特性的化合物中最接近室温的。VO2在相变前后,其电导率、电阻率、磁化率、光透过率和反射率等特性会发生突变,如其电导率在相变前后有5个数量级的突变;VO2的这种相变特性使得VO2在热敏电阻材料、光电开关材料、智能窗材料、智能控温材料、红外探测材料、抗激光材料、光存储材料等领域具有广泛的应用前景。
VO2的相变温度在68 ℃附近,与室温25 ℃还是具有一定差距,这样导致其应用受到了一定限制。研究证明,通过掺杂W、Mo、F等原子可以降低VO2的相变温度,尤其是掺入高价的金属W6+可显著降低VO2的相变温度。目前关于掺杂VO2的制备方法主要有两大类:物理方法和化学方法。物理方法主要有:脉冲激光沉积法、物理气相沉积法、磁控溅射法、激光诱导气相沉积法等。但这类方法存在较多的缺点,如设备昂贵,工艺过程复杂,制备的产物少,能耗比很大,不适宜于工业生产与应用。化学方法主要有:化学气相沉积法、溶胶凝胶法(Sol-Gel)、热分解法、化学沉淀法,水热反应法等;在这些方法中,水热反应法由于过程简单、容易控制、可以适应大规模的生产而备受关注。到目前为止,只有两种关于水热法制备掺杂VO2的报道: Li, J.曾报道[1]利用偏钒酸铵与钨酸铵混合,然后用乙酸调节pH为2-3,先制备出VO2(B) 的掺杂粉体,然后转化为VO2(M) 的掺杂粉体,该方法对于pH的要求非常高,不利于大规模生长,且重复性较差;Cao, C. X.和Whittaker, L.曾报道了[2-3]利用V2O5、草酸、钨酸进行高温水热反应7天制备出掺杂的单斜相VO2(M),该方法存在反应时间过长、对水热釜要求严格、且掺杂剂在产物中分散不均匀等缺点。
涉及的参考文献如下:
[1] Li, J.; Liu, C. Y.; Mao, L. J., The character of W-doped one-dimensional VO2(M) [J]. Journal of Solid State Chemistry, 2009, 182(10): 2835-2839.
[2] Cao, C. X.; Gao, Y. F.; Luo, H. J., Pure Single-Crystal Rutile Vanadium Dioxide Powders: Synthesis, Mechanism and Phase-Transformation Property [J]. Journal of Physical Chemistry C, 2008, 112(48): 18810-18814.
[3] Whittaker, L.; Wu, T. L.; Patridge, C. J.; Sambandamurthy, G.; Banerjee, S., Distinctive finite size effects on the phase diagram and metal-insulator transitions of tungsten-doped vanadium(IV) oxide [J]. Journal of Materials Chemistry, 2011, 21(15): 5580-5592。
发明内容
本发明的目的在于提供一种工艺简单、成本低廉、环境友好、易于控制、产率高、产量高、且适于大规模工业生产的二氧化钒及其掺杂粉体的制备方法,采用本发明方法所得产品具有纯度高的优点。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉大学,未经武汉大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110360377.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。