[发明专利]用于制造半导体芯片的方法以及半导体芯片有效
| 申请号： | 201110361020.8 | 申请日： | 2011-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102468156A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | M.梅纳特;B.舒德雷尔;H.温特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马永利;蒋骏 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 芯片 方法 以及 | ||
1. 一种用于制造半导体芯片的方法，所述方法包括：
对半导体衬底进行结构化以产生多个半导体芯片，使得每个半导体芯片包括第一主面和多个侧面；以及
在每个半导体芯片的第一主面与各侧面之间的过渡处形成凹入。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中，形成凹入包括执行蚀刻步骤。
3. 根据权利要求2所述的方法，其中，所述蚀刻步骤包括各向同性蚀刻步骤。
4. 根据权利要求1所述的方法，其中，对半导体衬底进行结构化包括执行蚀刻步骤。
5. 根据权利要求4所述的方法，其中，所述蚀刻步骤包括各向异性蚀刻步骤。
6. 根据权利要求1所述的方法，其中，对半导体衬底进行结构化发生在形成凹入之前。
7. 根据权利要求1所述的方法，其中，对半导体衬底进行结构化发生在形成凹入之后。
8. 根据权利要求1所述的方法，其中，每个所述半导体芯片包括与第一主面相对的第二主面，所述方法还包括将金属层沉积到第二主面上。
9. 根据权利要求1所述的方法，还包括：对所述半导体衬底进行研磨。
10. 根据权利要求1所述的方法，还包括：在对半导体衬底进行结构化之后对所述半导体芯片进行研磨。
11. 一种用于制造半导体芯片的方法，所述方法包括：
对半导体衬底进行结构化以产生多个半导体芯片，使得每个半导体芯片包括第一主面和多个侧面；以及
形成连接在每个半导体芯片的第一主面与各侧面之间的弯曲芯片表面。
12. 根据权利要求11所述的方法，其中，形成弯曲芯片表面包括在第一主面与各侧面之间的过渡处形成凹入。
13. 根据权利要求11所述的方法，其中，形成弯曲芯片表面包括执行蚀刻步骤。
14. 根据权利要求13所述的方法，其中，所述蚀刻步骤包括各向同性蚀刻步骤。
15. 根据权利要求11所述的方法，其中，对半导体衬底进行结构化包括执行蚀刻步骤。
16. 根据权利要求15所述的方法，其中，所述蚀刻步骤包括各向异性蚀刻步骤。
17. 根据权利要求11所述的方法，其中，对半导体衬底进行结构化发生在形成弯曲表面之前。
18. 根据权利要求11所述的方法，其中，对半导体衬底进行结构化发生在形成弯曲芯片表面之后。
19. 根据权利要求11所述的方法，其中，每个所述半导体芯片包括与第一主面相对的第二主面，所述方法还包括将金属层沉积到第二主面上。
20. 根据权利要求11所述的方法，还包括：对所述半导体衬底进行研磨。
21. 根据权利要求11所述的方法，还包括：在对半导体衬底进行结构化之后对所述半导体芯片进行研磨。
22. 一种半导体芯片，包括：
第一主面；
与第一主面相对的第二主面；
多个侧面；以及
在第一主面与各侧面之间的过渡处的凹入。
23. 根据权利要求22所述的半导体芯片，其中，所述凹入包括环绕凹入。
24. 根据权利要求22所述的半导体芯片，还包括布置在第二主面上的金属层。
25. 根据权利要求22所述的半导体芯片，其中，所述凹入包括至少i/AR的深度，其中i是所述凹入的垂直延伸，以及AR是高宽比。
26. 一种半导体芯片，包括：
第一主面；
与第一主面相对的第二主面；
多个侧面；以及
位于所述半导体芯片的第一主面与各侧面之间的弯曲芯片表面。
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