[发明专利]用于制造电极结构的方法

权利要求书

1.一种用于制造具有电极结构的半导体器件的方法，该方法包括：

提供半导体本体，该半导体本体具有第一表面，并且具有在该半导体本体的垂直方向上从该第一表面延伸的第一牺牲层；

形成从该第一表面延伸至该半导体本体中的第一沟槽，其中形成该第一沟槽至少包括在邻近该第一表面的部分中去除该牺牲层；

通过在该第一沟槽中各向同性地蚀刻该半导体本体来形成第二沟槽；

形成覆盖该第二沟槽的侧壁的介质层；

在该第二沟槽中的该介质层上形成电极，该第二沟槽中的该电极和该介质层形成该电极结构。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

通过在该第二沟槽下方去除至少部分该第一牺牲层，来在该第二沟槽下方形成第三沟槽，

其中，覆盖该第二沟槽的侧壁的该介质层还被制造以至少覆盖该第三沟槽的侧壁。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，该介质层被制造以完全地填充该第三沟槽。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成该介质层包括沉积介质层和热生长介质层之一。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在该第三沟槽中形成该介质层包括：

沿该第三沟槽的侧壁形成介质层，从而留下残余沟槽；

用填充材料填充该残余沟槽。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，该填充材料是介质材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，该第一牺牲层包括氧化层、氮化层、碳层或含锗层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，该第一牺牲层是包括至少两个子层的复合层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，在两个子层之间形成薄的半导体层。

10.根据权利要求2所述的方法，其中，形成该第三沟槽包括完全地去除该第一牺牲层。

11.根据权利要求2所述的方法，其中，形成该第三沟槽包括仅部分地去除在该第二沟槽的底部下方的该牺牲层。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，该半导体本体还包括与该第一牺牲层邻近的第二牺牲层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，该第二牺牲层包括碳层、含锗层、氧化层或氮化层中的至少一个。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，该第一牺牲层是包括至少两个子层的复合层。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，在两个子层之间形成薄的半导体层。

16.根据权利要求12所述的方法，还包括：

在形成该第二沟槽之后和在形成该介质层之前去除该第二牺牲层，其中至少从该第二沟槽去除该第二牺牲层。

17.根据权利要求16所述的方法，还包括：

在至少从该第二沟槽去除该第二牺牲层之前，在该第二沟槽中形成另一介质。

18.根据权利要求2所述的方法，其中，该半导体本体还包括与该第一牺牲层邻近的第二牺牲层，该方法还包括：

在形成该第二沟槽之后和在形成该介质层之前去除该第二牺牲层，其中至少从该第二沟槽去除该第二牺牲层。

19.根据权利要求12所述的方法，其中，形成该第一沟槽包括：

通过在与该第一表面邻近的部分中去除部分该第一牺牲层来形成第一沟槽部分；

在该第一沟槽部分中各向同性地蚀刻该半导体本体，从而形成该第一沟槽的第二部分；

从该第二沟槽部分中去除该第二牺牲层。

20.根据权利要求1所述的方法，其中，形成该第一沟槽包括：

在该第一表面下方的区域中去除该第一牺牲层的第一部分，从而形成该第一沟槽的第一部分；

在该第一沟槽的该第一部分中各向同性地蚀刻该半导体本体；

在该第一沟槽的该第一部分下方的区域中去除该第一牺牲层的第二部分，从而形成该第一沟槽的第二部分；

在该第一沟槽的该第一和第二部分中各向同性地蚀刻该半导体本体。

21.根据权利要求1所述的方法，其中，形成该第一沟槽仅包括在邻近该第一表面的部分中去除该牺牲层。