[发明专利]用于制造电极结构的方法

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及用于制造具有电极结构的半导体器件的方法。特别地，本发明的实施例涉及用于制造包括栅电极结构的晶体管(比如MOSFET)的方法，并且特别涉及用于制造除栅电极之外还包括与漂移区邻近的漂移控制区的晶体管的方法。

背景技术

已知一种特定类型的MOSFET，其包括具有栅电极和栅介质的栅电极结构，以及包括具有漂移控制区和漂移控制区介质的漂移控制结构。该栅结构被布置为与该MOSFET的体区邻近，以及该漂移控制结构被布置为与漂移区邻近。这种类型的MOSFET能够像常规MOSFET一样被接通和关断。当它被接通(处于其导通状态)时，该栅电极被偏置，使得第一导电沟道沿该体区中的该栅介质延伸，以及该漂移控制区被偏置，使得第二导电沟道沿该漂移区中的该漂移控制区介质延伸。与不包括这种漂移控制区的常规部件相比，该漂移控制结构有助于降低在该漂移区的给定掺杂浓度下的MOSFET的导通电阻。

理想地，该栅结构和该栅控制结构被布置成使得，当部件处于其导通状态时，第二导电沟道邻近(adjoin)第一导电沟道。在这种情况下，进一步改善导通电阻。

因此，需要制造一种电极结构，特别是与漂移控制结构对齐的MOSFET的栅电极结构。

发明内容

本发明的第一实施例涉及一种用于制造具有电极结构的半导体器件的方法。该方法包括：提供半导体本体，该半导体本体具有第一表面，并且具有在半导体本体的垂直方向上从第一表面延伸的第一牺牲层；形成从第一表面延伸至半导体本体中的第一沟槽，其中形成第一沟槽至少包括在邻近第一表面的部分(section)中去除该牺牲层；以及通过在第一沟槽中各向同性地蚀刻半导体本体来形成第二沟槽。该方法还包括：形成覆盖第二沟槽的侧壁的介质层；以及在第二沟槽中的介质层上形成电极。第二沟槽中的该电极和该介质层形成该电极结构。

附图说明

现在将参照附图解释实例。附图用来说明基本原理，从而仅仅示出理解基本原理所必需的方面。附图不是按比例的。在附图中相同的附图标记表示相同的特征。

包括图1A至1F的图1显示在用于制造电极结构的第一方法的方法步骤过程中半导体本体的垂直横截面；

包括图2A和2B的图2示出半导体本体的顶视图，其中在执行图1A至1F所示的方法之前以及之后布置纵向牺牲层；

包括图3A和3B的图3示出半导体本体的顶视图，其中在执行图1A至1F所示的方法之前以及之后布置环状牺牲层；

包括图4A和4B的图4示出图1A至1F所示的方法的修改；

图5显示实施为晶体管器件的半导体器件的垂直横截面图，其包括根据图1A至1F所示的方法步骤制造的电极结构以作为栅电极结构；

图6示出图4的半导体器件的修改；

图7示出图4的半导体器件的另一修改；

包括图8A至8F的图8示出用于制造电极结构的方法的第二实施例；

图9示出利用根据图8A至8F的方法制造的电极结构作为栅电极结构实施的晶体管器件的垂直横截面图；

图10示出利用根据图8A至8F的方法制造的电极结构作为栅电极结构实施的另一晶体管器件的垂直横截面图；

包括图11A至11G的图11示出图8A至8F所示的方法的修改；

包括图12A至12H的图12示出图1A至1F所示的方法的修改；

包括图13A至13G的图13示出图1A至1F所示的方法的另一修改；以及

包括图14A至14C的图14示出图13G所示的结构的垂直横截面图。

具体实施方式

本发明的实施例涉及用于制造电极结构(例如栅电极结构)的方法。仅仅出于说明的目的，将在特定上下文中解释该方法的实施例，即在制造晶体管器件(特别是MOSFET)的栅电极结构的上下文中，该晶体管器件除了栅电极结构之外还包括具有漂移控制区和漂移控制区介质的漂移控制结构。然而，以下所示的方法也可应用于制造其他器件(例如电容器)中的电极结构，或者应用于制造其他类型的MOSFET部件中的栅电极结构。