[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201110362992.9 | 申请日： | 2011-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102394245A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 唐纳德·迪斯尼 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 611731 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的制作方法，包括步骤：
提供衬底和具有第一掺杂类型的体区；以及
经MOSFET的源极区、栅极区和漏极区向体区内注入第一杂质，形成具有第一掺杂类型的掺杂区，以选择性地提高体区的掺杂浓度，所述掺杂区包括：
第一掺杂区，位于栅极区下方；
第二掺杂区，位于源极区和漏极区下方；
其中，第一掺杂区比第二掺杂区的深度浅，更靠近体区的上表面。
2.如权利要求1所述的制作方法，其中所述MOSFET为P沟道MOSFET，第一掺杂类型为N型。
3.如权利要求1所述的制作方法，其中采用注入能量大于200千电子伏特的高能离子注入工艺来形成掺杂区。
4.如权利要求1所述的制作方法，其中所述源极区和漏极区通过向体区注入第二杂质来制作，源极区和漏极区的制作与第一杂质的注入使用同一掩膜。
5.如权利要求1所述的制作方法，其中所述掺杂区位于体区上表面下方的第一深度处，其中第一深度为0.5μm～1.5μm。
6.如权利要求1所述的制作方法，其中所述体区上表面的掺杂浓度低于体区内掺杂区的掺杂浓度。
7.一种金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，包括：
源极区；
栅极区；
漏极区；以及
具有第一掺杂类型的体区，该体区包括阶梯形掺杂区，其中阶梯形掺杂区的掺杂浓度高于体区上表面的掺杂浓度，该阶梯形掺杂区包括：
第一掺杂区，位于栅极区下方；
第二掺杂区，位于源极区和漏极区下方；
其中，第一掺杂区比第二掺杂区的深度浅，更靠近体区的上表面。
8.如权利要求7所述的MOSFET，其中所述MOSFET为P沟道MOSFET，第一掺杂类型为N型。
9.如权利要求7所述的MOSFET，其中阶梯形掺杂区位于体区上表面下方的第一深度处，其中第一深度为0.5μm～1.5μm。
10.一种金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的制作方法，包括：
在体区上形成掩膜；
通过掩膜的开口经MOSFET的源极区、栅极区和漏极区向体区内注入第一杂质，以提高体区中位于栅极区下方，靠近MOSFET上表面区域的掺杂浓度，其中第一杂质的类型与体区的掺杂类型相同。
11.如权利要求10所述的制作方法，其中所述源极区和漏极区通过向体区注入第二杂质来制作，源极区和漏极区的制作与第一杂质的注入使用同一掩膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都芯源系统有限公司，未经成都芯源系统有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110362992.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：新型金属化膜电容器灌封蜡
- 下一篇：生产多晶硅的方法
- 同类专利
- 专利分类
