[发明专利]一种背表面钝化的方法以及一种制作太阳能电池的方法有效
| 申请号： | 201110363814.8 | 申请日： | 2011-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN103117324A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 孙伟 | 申请（专利权）人： | 浚鑫科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 214443 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 表面 钝化 方法 以及 制作 太阳能电池 | ||
1.一种背表面钝化的方法，其特征在于，包括：
在硅片背表面印刷铝电场；
烘干背表面；
在背表面的铝电场上沉积氮化硅膜；
在背表面的氮化硅膜上印刷电极；
烘干背表面。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤3利用等离子体增强化学气相沉积法沉积背表面氮化硅膜，在等离子体增强化学气相沉积法中使用氨气来进行沉积，氨气流量为6升每分至9升每分。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述步骤3在等离子体增强化学气相沉积法中使用硅烷来进行沉积，氨气比硅烷的值为6到8。
4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于：所述步骤3的沉积时间为400秒至500秒。
5.一种制作太阳能电池的方法，其特征在于，包括：
清洗制绒；
在硅片正表面磷扩散制作P-N结；
去除磷硅玻璃；
在硅片正表面沉积氮化硅减反射膜；
在硅片背表面印刷铝电场；
烘干背表面；
在硅片背表面的铝电场上沉积氮化硅膜；
在硅片背表面的氮化硅膜上印刷电极；
烘干背表面；
在硅片正表面的氮化硅减反射膜上印刷电极；
对硅片进行烧结。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述在硅片正表面沉积氮化硅减反射膜的方法为等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅减反射膜。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述在硅片背表面沉积氮化硅膜的方法为等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅膜，在等离子体增强化学气相沉积法中使用氨气来进行沉积，氨气流量为6升每分至9升每分。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述在等离子体增强化学气相沉积法中使用硅烷来进行沉积，氨气比硅烷的值为6到8。
9.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于：所述在硅片背表面沉积氮化硅膜的沉积时间为400秒至500秒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
