[发明专利]一种背表面钝化的方法以及一种制作太阳能电池的方法有效
申请号: | 201110363814.8 | 申请日: | 2011-11-16 |
公开(公告)号: | CN103117324A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 孙伟 | 申请(专利权)人: | 浚鑫科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 214443 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 表面 钝化 方法 以及 制作 太阳能电池 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池生产方法,特别涉及一种背表面钝化的方法以及一种制作太阳能电池的方法。
背景技术
随着社会的飞速发展,石油,煤炭等不可再生能源的储量越来越少,价格越来越高。作为重要的清洁能源之一,目前利用太阳能的技术越来越受到重视并得到广泛的应用。太阳能电池的生产方法也在不断优化。
现有技术中太阳能电池的生产方法,大致包括以下步骤:清洗制绒;磷扩散制作PN结;等离子刻边;去除磷硅玻璃;等离子体增强化学气相沉积法(PECVD,Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)沉积正面氮化硅减反射膜;印刷背电极及烘干;印刷背电场及烘干;印刷正面电极;快速烧结。现有技术中对背表面先进行背电极的印刷,再进行背电场的印刷。
现有技术中正面氮化硅膜能对电池正表面起到很好的钝化作用,但是背表面没有很好的钝化。
发明内容
本发明实施例提供加强背表面钝化的一种背表面钝化的方法以及一种制作太阳能电池的方法。
一种背表面钝化的方法,包括:
在硅片背表面印刷铝电场;
烘干背表面;
在背表面的铝电场上沉积氮化硅膜;
在背表面的氮化硅膜上印刷电极;
烘干背表面。
一种制作太阳能电池的方法,包括:
清洗制绒;
在硅片正表面磷扩散制作P-N结;
去除磷硅玻璃;
在硅片正表面沉积氮化硅减反射膜;
在硅片背表面印刷铝电场;
烘干背表面;
在硅片背表面的铝电场上沉积氮化硅膜;
在硅片背表面的氮化硅膜上印刷电极;
烘干背表面;
在硅片正表面的氮化硅减反射膜上印刷电极;
对硅片进行烧结。
本发明实施例提供的技术方案中,由于铝很难穿透氮化硅膜,所以在铝电场印刷之后进行沉积氮化硅膜;铝电场稀松并且有许多气孔,在沉积完背表面氮化硅之后,背表面的氢会向硅片体内扩散,起到钝化作用;在沉积完背表面氮化硅之后再印刷背面电极,可以避免背面电极和硅的接触,也可以起到钝化的作用。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例中背表面钝化的方法实施例示意图;
图2为本发明实施例中制作太阳能电池的方法实施例示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了能够加强背表面钝化的一种背表面钝化的方法以及一种制作太阳能电池的方法。以下进行详细说明。
请参阅图1所示,本发明实施例中背表面钝化的方法包括:
11、在硅片背表面印刷铝电场:
在硅片的背表面用丝网印刷一层铝浆,形成一层铝层即铝电场;
12、烘干背表面:
将背表面印刷了铝电场的硅片放入烘箱,充分烘干背表面的铝电场;
13、在背表面的铝电场上沉积氮化硅膜:
利用PECVD沉积法在硅片背表面的铝电场上沉积氮化硅膜,使用了氨气和硅烷来进行沉积,为了增加氮化硅膜中的氢含量,要求氨气的含量要高,氨气的流量为6升每分至9升每分,氨气与硅烷的比值为6至8.,沉积时间为400秒至500秒,更优的,在沉积中使用的氨气流量为6升每分,硅烷流量为0.8升每分,沉积时间为450秒;
14、在背表面的氮化硅膜上印刷电极:
在硅片背表面的氮化硅膜上印刷两条条形电极;
15、烘干背表面:
将背表面印刷了电极的硅片放入烧结炉,对其进行烘干并使硅片满足烧结要求。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的