[发明专利]电光调变装置、电光检测器及其检测方法

说明书

技术领域

本发明系关于一种电光调变装置、电光检测器及其检测方法，特别是关于一种可应用于挠性待测物的电光调变装置、电光检测器及其检测方法。

背景技术

传统的电路检测设备常利用探针接触待测物并施予电压，检验待测物的电路状况，如短路、断路等。公知的接触式探针电路检测设备常应用于检测半导体晶粒的工艺及PCB板工艺的检测。随着半导体工艺的线宽越来越小，利用探针的检测方式势必受到探针物理尺寸的限制，且应用于小尺寸线宽检测的探针的制作费用也相当昂贵。当待测物的面积越来越大，检测所需的速度越来越快，全面检测的需求越来越多时，以抽检的方式，利用探针接触来检测电路则越来越不符合检测的需求。

如果经过激光图案化工艺后的待测物蚀刻并不完全时，像素会形成坏点，使良率下降。此外，在待测物工艺中，待测物的电路可能会产生短/断路、杂质、刮伤等现象。上述现象可经由快速检测的非接触式检测器检测，以节省后段工艺的成本，并确保产品的品质。

图1为一公知电光检测器，该电光检测器100包括产生光线的光源14、调变自光源14发射光线的调变器10、一镜面10-3并自该镜面10-3反射光线，反射的比率系由电场强度所决定、一分光镜12、一透镜16，可供聚焦自调变器10反射的光线、将光线转变成图像信号的一CCD摄影机17以及将图像信号转变成数位元图像信号的图像处理器18。而该数位元图像信号系由一显示器20所显示而分析。该调变器10包括一调变器本体10-2、一镜面10-3以及一支撑架10-1。该调变器本体10-2为六角形且由该支撑架10-1所支撑，该调变器本体10-2单侧有导电膜设置。该镜面10-3形成于该调变器本体10-2的底部。该调变器本体10-2包括一电极，其连接至一外部电源，该外部电源供应一参考电压，而调变器本体10-2的电光部系经由调变器本体10-2散射入射光并传输该反射光至分光镜12，反射光的比率系由调变器本体10-2的电场强度所决定。

通过数位元图像的不同灰阶程度，待测物的电路和蚀刻残留量则可被确定，进而确定在工艺中导电物质是否蚀刻完全，或确定表面瑕疵对导电图案的电性影响。如图1所示，调变器10与待测物22的间必须保持一定的距离(约10um)。且需分别施予正负电压，使其形成电容效应，产生感应电场进而驱动电光调变器10。由于距离(约10um)太小，很容易造成电光调制器10的反射镜面10-3磨损，增加维护的成本。且该反射镜面10-3无法使用传统的镀膜方式，因此制造成本相当昂贵。

为了改善反射镜面磨损，公知技术于反射镜面外，涂布一层缓冲层而减少反射镜面被直接磨损。但是上述先前技术并无法快速地量测具有翘曲性质的待测物，如软性电路板等等。

再者，一般之外观检测无法得知待测物的透明导电膜图案(如：ITO或AZO)的电性状况。由于待测物(如触控面板)具有极高的穿透率(高于90％)，因而使用一般的自动光学检测系统(AOI)检测外观图像所得到的图像对比相当低(尤其是跨桥部分之上下两层ITO结构)，很容易产生误判的情况。

发明内容

本发明提供一种电光调变装置，其包括一本体、一导电膜以及一透明保护膜。该本体含有一第一表面及一第二表面。该导电膜设置于该第一表面。该透明保护膜设置于该第二表面并位于一待测物之上。

该本体为一高分子散布型液晶显示器(PDLC显示器)。

该本体为一光学晶体，该光学晶体的材质选自磷酸二氢钾、磷酸二氘钾及磷酸二氢铵组成的群。

该透明保护膜的材质选自金属、有机物、无机物及陶瓷。

本发明亦提供一种电光检测器，其包括一光源产生装置、一电光调变装置、一支撑模块以及一取像模块。该光源产生装置发射一光束。该电光调变装置调变该光束后该光束入射一待测物。该支撑模块支撑该待测物并使调变后的该光束入射该支撑模块。该取像模块转换该支撑模块所反射的该光束而成一图像信号。

该电光调变装置包括一本体、一导电膜以及一透明保护膜，其中该本体含有一第一表面及一第二表面，该导电膜设置于该第一表面，该透明保护膜设置于该第二表面并位于该待测物之上。

该本体为一高分子散布型液晶显示器(PDLC显示器)。

该本体为一光学晶体，该光学晶体的材质选自磷酸二氢钾、磷酸二氘钾及磷酸二氢铵组成的群。

进一步包括一电源模块，该电源模块分别电性连接该导电膜及该待测物。

该电光调变装置另包括一透光基板，该透光基板设置于该导电膜上，该透光基板的面积大于该本体，且该导电膜设置于超出该本体之外的该透光基板上。