[发明专利]一种高Tg、无卤素板用铜箔的表面处理工艺

权利要求书

1.一种高Tg、无卤素板用铜箔的表面处理工艺，其特征在于

采用35μm HTE电解铜箔做阴极并以20m/min的速度运行，经过酸洗-粗化-固化-黑化-镀锌-钝化-硅烷处理-烘干的工艺步骤对铜箔的毛面进行粗化层处理。

2.如权利要求1所述一种高Tg、无卤素板用铜箔的表面处理工艺，其特征在于

1）、酸洗：将电解铜箔浸入硫酸溶液中，以清除铜箔表面的氧化层；

    2）、粗化：将阴极铜、浓硫酸、软水、蒸汽混合溶解，生成硫酸铜溶液，再向硫酸铜溶液中加入添加剂T，混合充分后进入粗化槽进行电镀；

所述添加剂T 是一种混合添加剂，选自于邻菲罗啉、氯苯基吖啶、硫脲、糖精钠、钼酸钠、钨酸钠、硫酸亚锡、硫酸亚铁、硫酸钴、硫酸钛中的两种或多种；

    3）、固化：将阴极铜、浓硫酸、软水、蒸汽混合溶解，生成硫酸铜溶液，混合充分后泵入固化槽进行电镀；

    4）、黑化：将络合剂、硫酸镍、硫酸锌分别溶解，在搅拌情况下将硫酸镍和硫酸锌加入络合剂中，混合充分后泵入黑化槽进行电镀；

所述的络合剂选自于焦磷酸钾、柠檬酸、柠檬酸氨、EDTA、酒石酸中的任意一种；

5）、镀锌：将焦磷酸钾和硫酸锌分别溶解，在不断搅拌情况下将硫酸锌加入焦磷酸钾中，混合均匀后泵入镀锌槽中进行电镀；

6）、钝化：将硫酸铬、硫酸锌、硫酸钠、添加剂分别溶解，混合均匀后使用硫酸和氢氧化钾调节PH值，再泵入钝化槽进行电镀；

7）、硅烷处理：将环氧基硅烷偶联剂和四乙氧基硅烷加入水中，搅拌至充分溶解后喷涂于铜箔表面；

 8）、烘干。

3.如权利要求2所述一种高Tg、无卤素板用铜箔的表面处理工艺，其特征在于具体的工艺条件为

    1）、酸洗：H₂SO₄  100-200 g/L，温度25-40 ℃，处理时间 4-5s；

    2）、粗化：Cu²⁺ 10-25g/L，H₂SO₄ 80-220g/L，添加剂T 5-150mg/L，温度20-35℃，电流密度20-50A/dm²，处理时间2-15s；

    3）、固化：Cu²⁺ 40-75g/L，H₂SO₄ 60-150g/L，温度40-65℃，电流密度20-50 A/dm²，处理时间8-25s；

    4）、黑化：Ni²⁺ 0.1-2.5g/L，Zn²⁺0.05-1.5g/L，络合剂20-100g/L，温度20-55℃，电流密度0.5-10A/dm²，处理时间0.5-5s；

5）、镀锌：其中Zn²⁺ 1-7 g/L，K₄P₂O₇  50-180 g/L，PH 8-11， 温度为 25-50 ℃，电流密度为0.50-1.5 A/dm²；处理时间0.5-5s；

6）、钝化： Cr³⁺ 1.0-3.0g/L，Zn²⁺ 0.5-2 g/L，Na₂SO₄ 20-30 g/L，添加剂P 0.2-1.0 g/L，pH 4-5，温度 25-30℃，电流密度2.0-4.5A/dm²，处理时间4-5s；

7）、硅烷处理：环氧基硅烷偶联剂 0.2-0.4 %，四乙氧基硅烷(TEOS)  0.4-0.6%，PH 5-6，温度25-30℃，处理时间 2-3s；

8）、烘干：温度100-300℃，处理时间 2-10s。

4.如权利要求1-3任一权利要求所述一种高Tg、无卤素板用铜箔的表面处理工艺，其特征在于

处理的35μm铜箔在高Tg、无卤素板上的抗剥离强度大于1.5N/mm。