[发明专利]一种LED封装结构的加工方法及LED封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及LED领域，尤其涉及一种LED封装结构的加工方法及LED封装结构。

背景技术

发光二极管（Light Emitting Diode，LED）是一种能将电能转化为可见光的固态半导体器件，其凭借体积小、能耗少、高亮度、低热量等优点，广泛应用于显示器件上。传统的LED封装结构在加工时，主要是通过金线将LED晶片的电极与金属基板上的电路连接点焊接，进而在焊接好的LED晶片外围依次形成荧光胶层及透明胶层。这样，由于要通过金线将LED晶片与金属基板的电路进行焊线连接，使得整个LED封装结构加工工艺更加复杂，且LED晶片与金属基板之间通过金线进行热传导较缓慢，导致了其散热效果不佳，热阻较高。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种LED封装结构的加工方法及LED封装结构，以简化LED封装结构加工工艺，增强其散热效果，提高晶片出光效率。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提出了一种LED封装结构的加工方法，包括：

通过共晶焊工艺将带有衬底的LED晶片固定在基板上；

剥离所述LED晶片的衬底；

于所述剥离处理所得LED晶片的周围形成荧光胶层；

于所述荧光胶层外围压注形成透明胶层。

相应地，本发明实施例还提供了一种LED封装结构，包括基板、通过共晶焊工艺形成于该基板一侧并剥离了衬底的LED晶片、形成于该LED晶片外的荧光胶层，以及在该荧光胶层外压注形成的透明胶层。

本发明实施例通过提供一种LED封装结构的加工方法及其对应的LED封装结构，通过共晶焊工艺将带有衬底的LED晶片固定在基板上，之后剥离所述LED晶片的衬底，并于所述剥离处理所得LED晶片的周围形成荧光胶层，再于所述荧光胶层外围压注形成透明胶层，从而，减少了焊线工艺环节，简化了LED封装结构加工工艺，从而提高了生产效率；LED晶片与基板之间直接连接，提高了LED晶片的热传导速度，增强了其散热效果，热阻更低；另外，剥离了衬底后的LED晶片厚度更薄，表面粗化后大大提高了LED晶片的出光效率。

附图说明

图1是本发明实施例的LED封装结构的加工方法的主要流程图。

图2是本发明实施例的LED封装结构的主要结构图。

图3是本发明实施例的剥离前LED晶片的结构图。

图4是本发明实施例的剥离后LED晶片的结构图。

图5是本发明实施例的粗化处理后LED晶片的结构图。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明实施例进行详细说明。

图1是本发明实施例的LED封装结构的加工方法的主要流程图，参照该图，该方法主要包括：

101，将带有蓝宝石衬底的LED晶片的电极朝下并使其与基板的电路对接，这样，基板上的电路就与LED晶片表面的正负极位置一一对应了；

102，通过共晶焊工艺将带有蓝宝石衬底的LED晶片固定在基板上；

103，剥离LED晶片的蓝宝石衬底，剥离前LED晶片可如图3所示，剥离后LED晶片可如图4所示；

104，对LED晶片发光面一侧进行粗化处理，得到如图5所示的结构；

105，于104剥离处理所得LED晶片的周围涂上荧光胶，从而形成荧光胶层；当然，荧光胶层的形成还可以于所述剥离处理所得LED晶片上贴敷荧光胶片以形成该荧光胶层；

106，于荧光胶层外围压注形成透明胶层，具体地，透明胶层可以为半球体或立方体形，以保护器内部结构。

这样，通过图1所示方法即可形成如图2所示的本发明实施例的LED封装结构，其主要包括基板1、通过共晶焊工艺形成于该基板1一侧并剥离了蓝宝石衬底的LED晶片2、形成于该LED晶片2外的荧光胶层3，以及在该荧光胶层3外压注形成的透明胶层4，其中，LED晶片2可如图5所示的结构，而荧光胶层3与透明胶层4均可采用硅胶胶体，基板1可以是金属基板或陶瓷基板等。

另外，LED晶片2可为功率为0.07-0.5W的小功率LED晶片，或者功率为1-3W的大功率LED晶片，基板1上可固定有多颗LED晶片，从而多颗LED晶片集成共晶在同一基板1上，可实现串、并联工作，从而实现多颗LED晶片的集成封装，以充分利用LED封装结构的承载空间，进一步提高了LED封装结构的集成度，满足了器件高度集成的发展要求。

以上所述是本发明的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。