[发明专利]光致抗蚀剂膜的剥离液组合物

说明书

技术领域

本发明涉及一种光致抗蚀剂膜的剥离液组合物，特别适用于封装基板制程中所用的厚度为100μm以上的光致抗蚀剂膜的剥离，也适用于PCB、FPC、TFT、LCD的光致抗蚀剂膜的剥离。

背景技术

在PCB、FPC、TFT、LCD的制程中，线路图形的转移是必须的步骤。在实现线路图形转移，光致抗蚀剂的使用起着至关重要的作用。在“成像”完成后，光致抗蚀剂膜能否顺利完全去除，直接影响着蚀刻等后工序。封装基板可为芯片提供电连接、保护、支撑、散热、组装等功效，以实现多引脚化，缩小封装产品体积、改善电性能及散热性、超高密度或多芯片模块化的目的。封装基板制程中所用光致抗蚀剂膜的厚度(100u、120μm)，比较在PCB、FPC、TFT、LCD中所常用的光致抗蚀剂膜的厚度(30μm、40μm)增加很多。对于薄干膜的剥离，中国专利CN1428659A中提出季铵氢氧化物、水溶性胺、水溶性有机溶剂组合物剥离光致抗蚀剂膜。中国专利CN101692155A提出了一种包含环胺或/和二胺、乙二醇醚类、极性溶剂的光致抗蚀剂膜剥离组合物。中国专利CN101544932A中提出了含有羟胺、溶剂、胺的光致抗蚀剂膜剥离组合物。对于大于100μm的厚干膜，用现有的剥离方法，在较低温度、较短时间内难以完全退除干净。虽然通过延长接触时间，提高工作温度，或者增加溶液的攻击性可以使剥离效果得到改善，但是也带来了生产效率降低，设备负荷增加，基材腐蚀加重等新问题。

发明内容

本发明提供一种光致抗蚀剂膜的剥离液组合物，特别适用于封装基板的厚度为100μm以上的光致抗蚀剂膜的剥离，以克服现有技术剥离方法无法完全将光致抗蚀剂膜退除干净、且容易使基材腐蚀加重等技术问题。

本发明的技术方案如下：

一种光致抗蚀剂膜的剥离液组合物，包含

(1)有机碱，含量为5-50wt％；

(2)有机溶剂，含量为1-60wt％；

(3)防腐蚀剂，含量为0.5-15wt％；

(4)余量为水。

本发明的剥离液组合物的较佳的配方为：

(1)有机碱，含量为10-40wt％；

(2)有机溶剂，含量为5-50wt％；

(3)防腐蚀剂，含量为1-10wt％；

(4)余量为水。

本发明的剥离液组合物的更佳的配方为：

(1)有机碱，含量为15-30wt％；

(2)有机溶剂，含量为10-40wt％；

(3)防腐蚀剂，含量为2-8wt％；

(4)余量为水。

上述的有机碱优选烷醇胺、季胺碱、胆碱、羟胺、N，N-二乙基羟胺中的任意一种、任意两种或任意两种以上以任意比例混合。实际上，一般常用的有机碱均能够应用于本发明。

上述的有机溶剂优选N-甲基吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、烷基醇醚、烷基或芳香基醇中的任意一种、任意两种或任意两种以上以任意比例混合。实际上，一般常用的有机溶剂均能够应用于本发明。

上述的防腐蚀剂优选芳香族羟基化合物或/和唑类化合物中的任意一种、任意两种或任意两种以上以任意比例混合。实际上，一般常用的金属防腐剂，特别是铜面防腐剂均能够应用于本发明。

上述芳香族羟基化合物优选没食子酸、单宁酸、植酸、邻苯二酚、对苯二酚中的至少一种；唑类化合物优选三氮唑、甲基三氮唑、苯并三氮唑、苯并四氮唑、氨基四氮唑、巯基苯并噻唑中的任意一种、任意两种或任意两种以上以任意比例混合。

本发明光致抗蚀剂膜的剥离液组合物，用于封装基板的光致抗蚀剂膜的剥离，也用于PCB、FPC、TFT、LCD的光致抗蚀剂膜的剥离。

本发明具有以下优点：

1、对于厚度为100μm以上的光致抗蚀剂膜的剥离效果优秀。2、实施温度低(55-75℃)、时间短(＜30min)。3、体系低泡性，无须添加消泡剂，因此，板面无硅斑、凝胶缺陷。4、碎膜、溶膜效果好，易于生产操作。

具体实施方式

本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物是含有有机碱、有机溶剂、防腐蚀剂以及水的组合物。