[发明专利]彩膜基板、TFT阵列基板及其制造方法和液晶显示面板

权利要求书

1.一种彩膜基板的制造方法，其特征在于，包括：

在形成有黑矩阵和彩色滤光片的基板上涂布公共电极层；

利用半透式掩膜板或灰色调掩摸板对所述公共电极层进行构图工艺处理，得到对应彩膜基板不同尺寸单元彩膜基板的厚度不同的公共电极层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用半透式掩膜板或灰色调掩摸板对所述公共电极层进行构图工艺处理，得到对应彩膜基板不同尺寸单元彩膜基板的厚度不同的公共电极层包括：

在公共电极层上涂布光刻胶；

利用半透式掩膜板或灰色调掩摸板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域；其中，所述光刻胶完全保留区域对应彩膜基板第一尺寸单元彩膜基板区域，所述光刻胶半保留区域对应彩膜基板第二尺寸单元彩膜基板区域；

利用刻蚀工艺去除掉所述光刻胶完全去除区域的公共电极层；

利用等离子体灰化工艺去除掉所述光刻胶半保留区域的光刻胶；

利用刻蚀工艺刻蚀掉所述第二尺寸单元基板的一定厚度的公共电极层；

剥离掉所述光刻胶完全保留区域的光刻胶。

3.一种彩膜基板，包括尺寸不同的单元彩膜基板，每个单元彩膜基板包括公共电极层，其特征在于，不同尺寸的单元彩膜基板的公共电极层的厚度不同。

4.一种TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在形成有栅线、栅电极、栅绝缘层、半导体有源层、数据线、源电极、漏电极和保护层的基板上涂布像素电极层；

利用半透式掩膜板或灰色调掩摸板对所述像素电极层进行构图工艺处理，得到对应TFT阵列基板不同尺寸单元阵列基板的厚度不同的像素电极层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，利用半透式掩膜板或灰色调掩摸板对所述像素电极层进行构图工艺处理，得到对应TFT阵列基板不同尺寸单元阵列基板的厚度不同的像素电极层包括：

在所述像素电极层上涂布光刻胶；

利用半透式掩膜板或灰色调掩摸板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域；其中，所述光刻胶完全保留区域对应TFT阵列基板第一尺寸单元阵列基板的像素电极区域，所述光刻胶半保留区域对应TFT阵列基板第二尺寸单元阵列基板的像素电极区域；

利用刻蚀工艺去除掉所述光刻胶完全去除区域的像素电极层；

利用等离子体灰化工艺去除掉所述光刻胶半保留区域的光刻胶；

利用刻蚀工艺刻蚀掉所述第二尺寸单元阵列基板的像素电极区域一定厚度的像素电极层；

剥离掉所述光刻胶完全保留区域的光刻胶。

6.一种TFT阵列基板，包括尺寸不同的单元阵列基板，每个单元阵列基板包括像素电极层，其特征在于，不同尺寸的单元阵列基板的像素电极层的厚度不同。

7.一种液晶显示面板，包括对盒成型的彩膜基板和TFT阵列基板，以及位于所述彩膜基板和TFT阵列基板之间的液晶层，所述彩膜基板包括尺寸不同的单元彩膜基板，每个单元彩膜基板包括公共电极层，其特征在于，不同尺寸的单元彩膜基板的公共电极层的厚度不同。

8.一种液晶显示面板，包括对盒成型的彩膜基板和TFT阵列基板，以及位于所述彩膜基板和TFT阵列基板之间的液晶层，所述TFT阵列基板包括尺寸不同的单元阵列基板，每个单元阵列基板包括像素电极层，其特征在于，不同尺寸的单元阵列基板的像素电极层的厚度不同。