[发明专利]彩膜基板、TFT阵列基板及其制造方法和液晶显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器，尤其涉及一种彩膜基板、TFT阵列基板及其制造方法和液晶显示面板。

背景技术

TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示器)液晶显示面板包括对盒成型的TFT阵列基板和彩膜基板，该TFT阵列基板和彩膜基板之间填充有液晶层。通常，一整块的显示面板上分布有多个尺寸的单元显示面板，在完成对盒工艺后，再分割整块显示板，得到各个尺寸的单元显示面板。

不同尺寸的单元显示面板所需的液晶盒厚是不同的，但当它们制造在一整块显示面板上时，由于整块TFT阵列基板和彩膜基板的厚度固定，因此对盒成型的盒厚往往是相同的，这就会影响一部分尺寸的单元显示面板的显示性能。

发明内容

本发明提供一种彩膜基板、TFT阵列基板及其制造方法和液晶显示面板，以解决一整块显示面板上不同尺寸的单元显示面板所需盒厚不同的问题。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

一方面，提供一种彩膜基板的制造方法，包括：

在形成有黑矩阵和彩色滤光片的基板上涂布公共电极层；

利用半透式掩膜板或灰色调掩摸板对所述公共电极层进行构图工艺处理，得到对应彩膜基板不同尺寸单元彩膜基板的厚度不同的公共电极层。

一方面，提供一种彩膜基板，包括尺寸不同的单元彩膜基板，每个单元彩膜基板包括公共电极层，不同尺寸的单元彩膜基板的公共电极层的厚度不同。

一方面，一种TFT阵列基板的制造方法，包括：

在形成有栅线、栅电极、栅绝缘层、半导体有源层、数据线、源电极、漏电极和保护层的基板上涂布像素电极层；

利用半透式掩膜板或灰色调掩摸板对所述像素电极层进行构图工艺处理，得到对应TFT阵列基板不同尺寸单元阵列基板的厚度不同的像素电极层。

一方面，提供一种TFT阵列基板，包括尺寸不同的单元阵列基板，每个单元阵列基板包括像素电极层，不同尺寸的单元阵列基板的像素电极层的厚度不同。

一方面，提供一种液晶显示面板，包括对盒成型的彩膜基板和TFT阵列基板，以及位于所述彩膜基板和TFT阵列基板之间的液晶层，所述彩膜基板包括尺寸不同的单元彩膜基板，每个单元彩膜基板包括公共电极层，不同尺寸的单元彩膜基板的公共电极层的厚度不同。

一方面，提供一种液晶显示面板，包括对盒成型的彩膜基板和TFT阵列基板，以及位于所述彩膜基板和TFT阵列基板之间的液晶层，所述TFT阵列基板包括尺寸不同的单元阵列基板，每个单元阵列基板包括像素电极层，不同尺寸的单元阵列基板的像素电极层的厚度不同。

本发明提供的彩膜基板、TFT阵列基板及其制造方法和液晶显示面板，利用半透式掩膜板或灰色调掩摸板，通过一次构图工艺得到厚度不同的彩膜基板公共电极层或TFT阵列基板像素电极层，使得在对盒工艺中能够得到不同盒厚的单元显示面板，解决了现有技术中整块显示板上的不同尺寸单元显示面板所需盒厚不同的问题，保证了各尺寸单元显示面板的显示性能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有的整块液晶显示面板的平面结构示意图；

图2为本发明实施例提供的彩膜基板制造方法流程示意图；

图3为本发明实施例提供的彩膜基板制造方法过程中的基板结构示意图一；

图4为本发明实施例提供的彩膜基板制造方法过程中的基板结构示意图二；

图5为本发明实施例提供的彩膜基板制造方法过程中的基板结构示意图三；

图6为本发明实施例提供的彩膜基板制造方法过程中的基板结构示意图四；

图7为本发明实施例提供的彩膜基板制造方法过程中的基板结构示意图五；

图8为本发明实施例提供的彩膜基板制造方法过程中的基板结构示意图六；

图9为本发明实施例提供的彩膜基板制造方法过程中的基板结构示意图七；

图10为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法流程示意图；

图11为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法过程中的基板结构示意图一；

图12为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法过程中的基板结构示意图二；