[发明专利]晶片洗涤器和晶片清洗方法有效

专利信息
申请号: 201110369740.9 申请日: 2011-11-15
公开(公告)号: CN103008309A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 章正欣;陈逸男;刘献文 申请(专利权)人: 南亚科技股份有限公司
主分类号: B08B11/00 分类号: B08B11/00
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 余朦;熊传芳
地址: 中国台湾桃园县龟山*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 晶片 洗涤器 清洗 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种晶片洗涤器,特别涉及一种通过高速旋转从晶片表面移除水的洗涤器。

背景技术

具有微结构的半导体组件的制造需要高精密的技术。在制程中,存在于半导体组件的电路上的些微的微粒子会降低半导体组件成品的可靠度。即使制造过程中的微粒污染不会影响半导体组件电路的功能,其仍然会导致在制造上遇到困难。因此,半导体组件需要在无尘的环境中制造,且半导体组件的表面需要进行清洗,以移除制造过程中所产生的微细颗粒。

请参照图1,传统的晶片洗涤器包括支撑晶片106的支托盘(holder)102和承轴(spindle)108。晶片106在前一制程阶段以去离子水110润湿,在此阶段中,晶片106和支托盘102以高速旋转,以从晶片106表面移除水110。然而,在此步骤中,会造成水110以相当高的速度离开晶片106表面,而高速的水110撞击晶片106侧壁104后可能溅回,溅回的水会对晶片106造成不利的影响,产生微粒和晶粒破损的问题。

发明内容

由此,本发明提供一种晶片洗涤器,包括:腔室;支托盘,连接至承轴且位于腔室中,其中支托盘对晶片进行支撑;以及网状内杯,包括多个穿孔并位于支托盘与腔室的侧壁之间,其中网状内杯接收来自晶片表面的水以及绕着承轴旋转且将水经由穿孔释放。

本发明提供一种晶片清洗方法,包括:

提供晶片洗涤器,该圆洗涤器包括:腔室;支托盘,连接至承轴且位于腔室中,其中支托盘对晶片进行支撑;以及网状内杯,包括多个穿孔并位于支托盘与腔室的侧壁之间;使晶片旋转,以移除晶片上的水,其中网状内杯接收来自晶片表面的水以及绕着承轴旋转且将水经由上述穿孔释放,以避免水溅回至晶片的边缘。

为了使本发明的特征能更加明显易懂,下文特举出实施例,并结合附图,作详细说明如下:

附图说明

图1示出传统的晶片洗涤器;

图2示出减少晶片上的水溅回的方法;

图3A示出本发明一实施例晶片洗涤器的剖视图;

图3B  出本发明一实施例晶片洗涤器的立体图;

图4A示出本发明一实施例晶片洗涤器的剖视图;以及

图4B示出本发明一实施例晶片洗涤器的立体图。

【附图标记说明】

102~支托盘;           104~侧壁;

106~晶片;             108~承轴;

110~水;               202~晶片;

204~水;               206~内杯侧壁;

301~腔室;             302~支托盘;

304~承轴;             306~去离子水;

308~侧壁;             309~穿孔;

310~晶片;             312~网状内杯;

401~腔室;             402~支托盘;

404~承轴;             406~水;

408~腔室侧壁;         409~穿孔;

410~晶片;             412~网状内杯。

具体实施方式

以下详细讨论实施本发明的实施例。可以理解的是,实施例提供许多可应用的发明概念,其可以较广的变化实施。所讨论的特定实施例仅用来公开使用实施例的特定方法,而不用来限制公开的范畴。

下文中的“一实施例”是指与本发明至少一实施例相关的特定图样、结构或特征。因此,以下“在一实施例中”的叙述并不是指同一实施例。另外,在一个或多个实施例中的特定图样、结构或特征可以适当的方式结合。值得注意的是,本说明书的附图并未按照比例绘制,其仅用来揭示本发明。

图2示出减少晶片上的水溅回的方法。请参照图2,由于内杯(inner cup)内部的亲水性表面可减少水溅回的问题。因此,此方法改变内杯侧壁206的材料,使其具有亲水表面,以避免水204溅回至晶片202,而产生微粒或晶粒破损的问题。然而,此方法不能完全解决水溅回的问题。因此,需要新颖的晶片洗涤器和相关方法以解决水溅回的问题。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司,未经南亚科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110369740.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top